Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
При низкой оригинальности работы "Расчет профиля легирования примесей эпитаксиально-планарных транзисторов", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН НЕКОММЕРЧЕСКОЕ АКИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО АЛМАТИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭНЕРГЕТИКИ И СВЯЗИРассчитать профиль легирования примесей эпитаксиально-планарных транзисторов для исходных данных, определяемых по последней цифре зачетной книжки (табл.1). Современные транзисторы характеризуются тем, что области базы и эмиттера получают последовательной направленной локальной диффузией (обычно бора и фосфора соответственно) на эпитаксиально выращенный на подложке кремниевый коллекторный слой п - типа. Исходным материалом при изготовлении планарного транзистора служит кремниевая подложка с выращенной на ней эпитаксиальной пленкой п - кремния - для транзистора с высокоомным коллектором, либо п - n - структуры для транзисторов с низкоомным коллектором (1.2 3, 4). Для анализа распределения диффузионной концентрации (диффузионного профиля) необходимо решить дифференциальное уравнение, называемое вторым законом Фика [5, 10]. где зависимость коэффициента диффузии D от температуры определяется из выражения Первый случай, соответствующий "загонке" примеси, представляет собой диффузию от поверхности постоянной концентрации: обычно в литературе его называют случаем диффузии из бесконечного источника [5,12].
