Импульсные усилители нашли широкое применение. Особенно широко они применяются в радиотехнических устройства, в системах автоматики, в приборах экспериментальной физики, в измерительных приборах. В зависимости от задач на импульсные усилители накладываются различные требования, которым они должны отвечать.Средне статистический транзистор дает усиление в 20 ДБ, по заданию у нас 40 ДБ, отсюда получим, что наш усилитель будет иметь как минимум 2 каскада. Однако исходя из условия разной полярности входного и выходного сигнала число каскадов должно быть нечетным, следовательно число каскадов составит 3. По заданному напряжению на выходе усилителя рассчитаем напряжение коллектор эмиттер и ток коллектора (рабочую точку). Рассмотрим два варианта реализации схемы питания транзисторного усилителя: первая схема реостатный каскад, вторая схема дроссельный каскад. Дроссельный каскад: Схема дроссельного каскада по переменному току представлена на рисунке 2.2.Выбор транзистора осуществляется с учетом следующих предельных параметров: 1. Исходя из данных технического задания . Тогда верхняя граничная частота оконечного каскада: (3.1) Этим требованиям полностью соответствует транзистор КТ629А. Параметры транзистора приведены в таблице 3.1.Эмиттерная стабилизация применяется в основном в маломощных каскадах, и получила наиболее широкое распространение. Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 4.1. Выберем напряжение эмиттера , ток делителя и напряжение питания . Ток делителя выбирается равным , где - базовый ток транзистора и вычисляется по формуле: МА (4.1)При увеличении тока коллектора напряжение на Uкэо падает и следовательно уменьшается ток базы, а это не дает увеличиваться дальше току коллектора.Сделаем так чтобы Rб зависело от напряжения Ut. Получим что при незначительном изменении тока коллектора значительно изменится ток базы.Рисунок 5.1 Эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиаколетто) Ск(треб)-емкость коллекторного перехода при заданном Uкэ0, Ск(пасп)-справочное значение емкости коллектора при Uкэ(пасп). rб= =8 Ом ; gб= =0,125 Cm, где (5.1) rб-сопротивление базы,-справочное значение постоянной цепи обратной связи. rэ= = =0,678 Ом, где (5.2) Ік0 в МА, rэ-сопротивление эмиттера. gбэ= = =0,057, где (5.3) gбэ-проводимость база-эмиттер,-справочное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером. Сэ-емкость эмиттера, ft-справочное значение граничной частоты транзистора при которой =1 Ri-выходное сопротивление транзистора, Uкэ0(доп), Ік0(доп)-соответственно паспортные значения допустимого напряжения на коллекторе и постоянной составляющей тока коллектора. gi=0.02См.Схема эмиттерной коррекции представлена на рисунке 6.1. Эмиттерная коррекция вводится для коррекции искажений АЧХ вносимых транзистором, увеличивая амплитуду сигнала на переходе база-эмиттер с ростом частоты усиливаемого сигнала. Коэффициент усиления каскада описывается выражением: , (6.1)Транзистор VT2 Этим требованиям соответствует транзистор 2Т3129А9. Однако данные о его параметрах при заданном токе и напряжении недостаточны, поэтому выберем следующую рабочую точку: Іко= 15МА , Uкэо=10В Рассчитаем параметры эквивалентной схемы для данного транзистора используя формулы 5.1 - 5.13. Ск(треб)-емкость коллекторного перехода при заданном Uкэ0, Ск(пасп)-справочное значение емкости коллектора при Uкэ(пасп). rб= =10 Ом; gб= =0,1 Cm, где rб-сопротивление базы,-справочное значение постоянной цепи обратной связи. rэ= = =2,5 Ом, гдеСхема эмиттерной коррекции представлена на рисунке 7.2. Эмиттерная коррекция вводится для коррекции искажений АЧХ вносимых транзистором, увеличивая амплитуду сигнала на переходе база-эмиттер с ростом частоты усиливаемого сигнала.Используем эмиттерную стабилизация поскольку был выбран маломощный транзистор, кроме того эмиттерная стабилизация уже применяется в рассчитываемом усилителе. Выберем напряжение эмиттера , ток делителя и напряжение питания ; Ток делителя выбирается равным , где - базовый ток транзистора и вычисляется по формуле: МА, Тогда: МА В диапазоне температур от 0 до 50 градусов для рассчитанной подобным образом схемы, результирующий уход тока покоя транзистора, как правило, не превышает (10-15)%, то есть схема имеет вполне приемлемую стабилизацию. В качестве транзистора VT1 используем транзистор 2Т3129А9 с той же рабочей точкой что и для транзистора VT2: Iko= 15МА , Uкэо=10В , Возьмем Rk = 80 Ом.Схема эмиттерной коррекции представлена на рисунке 7.2. Эмиттерная коррекция вводится для коррекции искажений АЧХ вносимых транзистором, увеличивая амплитуду сигнала на переходе база-эмиттер с ростом частоты усиливаемого сигнала.Как было сказано в пункте 7.1.2 в данном усилителе наиболее приемлема эмиттерная термостабилизация поскольку транзистор 2Т3129А9 является маломощным, кроме того эмиттерная стабилизация проста в реализации. Выберем напряжение эмиттера , ток делителя и напряжение питания ; Напряжение эмиттера выбирается равным порядка .
План
Содержание
Введение
1.Предварительный расчет усилителя
1.1 Расчет рабочей точки
2. Выбор транзистора
3. Расчет схемы термостабилизации
3.1 Эмиттерная термостабилизация
3.2 Пассивная коллекторная термостабилизация
3.3 Активная коллекторная термостабилизация
4. Расчет параметров схемы Джиаколетто
5. Расчет эмиттерной коррекции
6. Промежуточный каскад
6.1 Расчет рабочей точки. Транзистор VT2
6.1.1 Расчет эмиттерной коррекции
6.1.2 Расчет схемы термостабилизации
6.2 Транзистор VT1
6.2.1 Расчет эмиттерной коррекции
6.2.2 Расчет схемы термостабилизации
7. Искажения вносимые входной цепью
8. Расчет входной корректирующей цепи
9. Расчет Ср
10. Расчет результирующего коэффициента усиления
Заключение
Список использованных источников
Приложение
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы