Подставим эти значения в формулы (1.5а) и (1.5б) и вычислим Nap и Ndn: Полученный для Nap результат не совпадает со значением, полученным из [1, с 64]. Для проверки воспользуемся эмпирической формулой для ?n и ?p в кремнии с примесями [1]: Значения для расчета по этой формуле возьмем из таблицы 1.1: Таблица 1.1. Сравнивая значения Ndn и Nap, приходим к выводу, что Ndn > Nap, то есть р-область легирована слабее, чем n-область и поэтому является базой диода, а n-область - эмиттером. Теперь можно найти контактную разность потенциалов по формуле (1.1): Равновесную ширину ОПЗ плоского p-n перехода в отсутствии внешнего поля в приближении полного обеднения можно рассчитать по формуле: (1.7) Составляющие равновесной ширины p-n перехода в n-области и р-области определяются соответственно формулами: (1.9)В данной курсовой работе мы получили практические навыки по расчету характеристик и параметров полупроводниковых приборов. По полученным результатам вычислений параметров кремниевого диода с резким p-n переходом из задания №1 (смотри таблицу 1.2 - 1.4) мы можем сделать следующие выводы: 1. контактная разность потенциалов ?k=0,8 В, а максимальное значение напряженности электрического поля в ОПЗ Emax =22684,16 В/см; 3. ток диода очень резко зависит от температуры, значительно увеличиваясь при относительно небольшом изменении температуры, что можно увидеть из приложения (смотри рис. Сделать определенные выводы мы можем по заданию №2, в котором предлагалось произвести вычисление характеристик биполярного транзистора с резким р-n переходом (смотри таблицу 2.1): 1. концентрация донорной примеси в базе много меньше концентрации акцепторной примеси; 3. коэффициент инжекции эмиттера ?=0,995, который показывает, какую долю полного тока эмиттера составляет полезный ток инжекции неосновных (для базы) носителей из эмиттера в базу, определяющий управляемую часть выходного тока в коллекторной цепи.
Вывод
В данной курсовой работе мы получили практические навыки по расчету характеристик и параметров полупроводниковых приборов. По полученным результатам вычислений параметров кремниевого диода с резким p-n переходом из задания №1 (смотри таблицу 1.2 - 1.4) мы можем сделать следующие выводы: 1. контактная разность потенциалов ?k=0,8 В, а максимальное значение напряженности электрического поля в ОПЗ Emax =22684,16 В/см;
2. ширина ОПЗ p-n перехода увеличивается с ростом обратного напряжения;
3. ток диода очень резко зависит от температуры, значительно увеличиваясь при относительно небольшом изменении температуры, что можно увидеть из приложения (смотри рис. 1.1);
4. с увеличением обратного напряжения барьерная емкость p-n перехода уменьшается;
5. напряжение пробоя p-n перехода Uлп =113, 5В.
Сделать определенные выводы мы можем по заданию №2, в котором предлагалось произвести вычисление характеристик биполярного транзистора с резким р-n переходом (смотри таблицу 2.1): 1. концентрация донорной примеси в базе много меньше концентрации акцепторной примеси;
2. толщина квазинейтральной области базы при отсутствии внешних напряжений на транзисторе W=0,76 мкм;
3. коэффициент инжекции эмиттера ?=0,995, который показывает, какую долю полного тока эмиттера составляет полезный ток инжекции неосновных (для базы) носителей из эмиттера в базу, определяющий управляемую часть выходного тока в коллекторной цепи. И чем ближе коэффициент ? к единице, тем эффективнее инжекция;
4. коэффициент переноса неосновных носителей через базу от эмиттера к коллектору ?=0,998, который количественно характеризует процесс рекомбинации дырок в базе;
5. коэффициент передачи тока эмиттера ?=0,93 и коэффициент передачи тока базы ?=141,9. Коэффициент передачи тока - важнейший статический параметр транзистора, характеризующий его усилительные свойства;
