Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.
500 11180,33989 0,002 0,043087 1,2904E 21 48,60924193 в) Построил график 1 зависимости равновесной конфигурации носителей тока от температуры в координатах . График 1 г) Проверить правильность построения графика, выполнив обратную задачу: используя значение tg ?, найти ширину запрещенной зоны полупроводника ?Е, сравнить с исходным значением ?Е. 500 0,043086876 0,425501829 109,103033 б) Построил график 2 «Зависимость Ef(T) в собственном полупроводнике Рассчитать температурную зависимость положения уровня Ферми Ef(T) в донорном полупроводнике а) для низкотемпературной области использовать формулу: Таблица 7. График 3 Зависимость Ef(T) для полупроводника n-типа в области низких температур. б) для низкотемпературной области найти положение максимума зависимости Ef(T), т.е. вычислить и в) для области средних температур использовать формулу: Таблица 8.
Список литературы
Чем больше напряжение, тем выше коэффициент выпрямления
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
