Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
Биполярные транзисторы широко используются в современных электронных устройствах в качестве активных элементов, которые обеспечивают необходимое усиление и коммутацию аналоговых и цифровых сигналов. При разработке и анализе работы электронных устройств, содержащих биполярные транзисторы, необходимо знание основных схем включения биполярных транзисторов, особенностей их работы в различных схемах, а также методов расчета электронных схем с биполярными транзисторами. Биполярные транзисторы являются полупроводниковыми приборами универсального назначения и широко применяются в различных усилителях, генераторах, в импульсных и ключевых устройствах. Существенное улучшение параметров транзисторов BISS достигнуто за счет изменения конструкции зоны эмиттера. В транзисторах BISS существенно уменьшается мощность рассеяния и, соответственно, температура кристалла, то есть появляется возможность либо уменьшить габариты (корпус), либо при тех же габаритах увеличить мощность, передаваемую транзистором в нагрузку, либо увеличить максимально допустимую температуру транзистора.Статический коэффициент передачи тока базы ? при = 4 В, = 2 А, не менее 20. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при = 10 В, = 0,5 А не менее 10 МГЦ. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при = 5 А, = 1 А. Транзистор должен иметь следующие предельные эксплуатационные данные. транзистор полупроводниковый импульсный частотаИсходным материалом для изготовления планарного транзистора служит пластина n-кремния (либо п-п структура - при изготовлении транзистора с низкоомным коллектором). Толщина высокоомного слоя в планарно-эпитаксиальном транзисторе составляет обычно 10-20 мкм при толщине всей пластины 150-200 мкм. Относительно низкие скорости роста, обеспечивающие совершенство структуры и возможность точного контроля толщины эпитаксиального слоя, простота управления такими параметрами, как температура кристаллизации и концентрация реагирующих агентов, - таковы основные достоинства этих методов. Чтобы получить эпитаксиальные структуры с заданным удельным сопротивлением (или определенным характером распределения примесей), их легируют во время процесса эпитаксиального выращивания с помощью трехбромистого бора (BBR3) - для создания слоев р-типа и треххлористого фосфора (PCL3) - для создания слоев n-типа. После загонки бора пленку боросиликатного стекла снимают в растворе плавиковой кислоты, пластины промывают в деионизованной воде и загружают в печь для проведения второй стадии диффузии - перераспределения примесей одновременно с окислением.В данной курсовой работе, был проведен расчет n-p-n транзистора КТ854А. Все рассчитанные параметры соответствуют предельно-эксплуатационным данным и отвечают требованиям исходных данных. При разработке, расчете и эксплуатации полупроводниковых приборов следует принимать во внимание их специфические особенности. Транзисторы сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях эксплуатации и хранения.
План
Оглавление
Введение
1. Исходные данные
2. Расчет n-p-n транзистора КТ854А 3. Краткая технология изготовления кристалла
Заключение
Список литературы
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
