Особенности проектирования и расчета интегрального МОП-транзистора. Структура и граничная частота n-канального транзистора. Расчет порогового напряжения. Определение геометрических размеров канала. Характеристика параметров областей истока и стока.
Простота конструкции МОП-транзистора и высокая плотность упаковки элементов в изготавливаемых на его основе интегральных схемах определили большое значение этих приборов для электронной промышленности, особенно при производстве цифровых схем. Транзистор состоит из МОП-структуры с затвором и содержит поверхностный инверсный слой (канал) между двумя диффузионными областями n -типа. Если инверсный канал р-типа у поверхности отсутствует, то эти диффузионные области отделены друг от друга обратно-смещенными p-n-переходами и не имеют электрической связи друг с другом. При наличии инверсного канала между областями n -типа образуется электрическая связь, и при приложении напряжения между этими областями, электроны из области, называемую стоком. В p-канальных МОП-транзисторах носителями заряда являются дырки, которые из истока через канал входят в сток.В данном курсовом проекте по заданию преподавателя необходимо было спроектировать и рассчитать интегральный МОП-транзистор.
Вывод
В данном курсовом проекте по заданию преподавателя необходимо было спроектировать и рассчитать интегральный МОП-транзистор. Данное задание было мною проделано и изложено в курсовом проекте.
Список литературы
1. Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. - СПБ.: Лань, 2012.
2. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. - М., 2011.
