Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИРасчет профиля легирования (распределения концентраций примесей по глубине транзисторной структуры) позволяет определить глубины залегания p-n-переходов, толщины слоев эмиттера, базы и коллектора, электрофизические параметры этих слоев и в конечном счете основные параметры транзистора. Если сразу учитывать эмиттерную диффузию, то изза неверно выбранного начального приближения, вместо глубины залегания базы будет определена глубина залегания эмиттера. Если сразу ее учитывать то изза неверно выбранного начального приближения, вместо глубины залегания эмиттера будет определена глубина залегания базы. Определение топологии кристалла означает выбор формы и размеров областей эмиттера, базы, коллектора, металлизации базы и эмиттера. Кроме того, эффект вытеснения тока к краю эмиттера приводит к снижению коэффициента передачи тока за счет увеличения инжекции носителей из базы в эмиттер, вызванной повышением концентрации основных носителей в базе у края эмиттера.
План
Оглавление
Список обозначений
Введение
Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора
Расчет профиля легирования
Расчет удельных поверхностных сопротивлений базового и эмиттерного слоев
Приближенный расчет коэффициента передачи тока базы
Расчет толщин активной части базы, ширины высокоомной области коллектора и эпитаксиального слоя
Предварительная проверка на соответствие ширины базы граничной частоте
Расчет функции , определяющей границы коллекторной ОПЗ и значение удельной емкости коллекторного перехода в зависимости от приложенного напряжения
Расчет функции , определяющей границы ОПЗ и значение удельной емкости эмиттерного перехода в зависимости от приложенного напряжения
Проверка базы на прокол
Выбор топологии кристалла
Вариант № 1
Вариант № 2
Вариант № 3
Вариант № 4
Расчет граничной частоты
Расчет напряжения насыщения
Расчет статического коэффициента передачи тока базы с учетом эффектов высокого уровня легирования эмиттера и особенностей профиля легирования
Расчет импульсных характеристик
Библиографический список
Введение
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
