Процесс проявления для фоторезистов. Процесс проявления несшитих участков слоя. Химическая реакция превращения инденкарбоновых кислот в растворимые соли. Чувствительность фоторезистов ультрафиолетовой области. Контакт фотошаблона с фоторезистом в ваккуме.
При низкой оригинальности работы "Проявление и окончательная термообработка слоя фоторезисторов", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Проявление и окончательная термообработка слоя фоторезисторовПроцесс проявления для фоторезистов заключается в удалении (растворении) ненужных участков слоя, в результате на поверхности остается защитный рельеф требуемой конфигурации. Если слой недостаточно сшит, то при проявлении наблюдается его набухание, и после сушки слой морщится и теряет свои защитные свойства. После проявления рекомендуется 7-8 ступень по 21 ступенчатому клину Штоуффера, покрытая фоторезистом, допускается частичное разрушение фоторезиста на ступени, но его остаток должен быть более 50%. Брэйк-пойнт есть процентное отношение активной длины камеры, на которой удалился фоторезист, к общей длине камеры проявления. В процессе работы насыщенность раствора проявления фоторезистом увеличивается, соответственно, увеличивается и брэйк-пойнт, поэтому скорость конвейера приходится уменьшать.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
