Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.
.3 Обоснование применения монокристаллического кремния 1.4 Технология получения монокристаллического кремния 1.4.1 Получение кремния полупроводниковой чистоты Механическая обработка монокристаллического кремния 2.5 Химическое травление полупроводниковых пластин и подложекПолупроводники в виде пластин или дисков, вырезанных из монокристаллов, называются подложками. В их объеме и на поверхности методами травления, окисления, диффузии, эпитаксии, имплантации, фотолитографии, другими технологическими приемами формируются элементы микросхем электронных приборов и устройств. Качество поверхности подложки определяется ее микрорельефом (шероховатостью), кристаллическим совершенством поверхностных слоев и степенью их физико-химической чистоты. После механической обработки в тонком приповерхностном слое подложки возникает нарушенный слой. Для кристаллов Ge, Si, GAAS и других после их резки и шлифования на глубине 0,3.0,5 средней высоты неровностей расположена рельефная зона, в которой наблюдаются одинаковые виды нарушений и дефектов монокристаллической структуры: монокристаллические сколы, не выкрошившиеся блоки, трещины, выступы и впадины различных размеров.Физические преимущества кремния по сравнению с германием проявляются в следующем: кремний имеет большую ширину запрещенной зоны и меньшие обратные токи переходов, что уменьшает паразитные связи между элементами ИМС, позволяет создавать микросхемы, работоспособные при повышенных температурах (до 120°С) и микромощные схемы, работающие при малых уровнях рабочих токов (менее 1 МКА); Кремний - прочный и жесткий материал, в монокристаллическом состоянии пригодный для изготовления чувствительных элементов прецизионных широкодиапазонных датчиков в виде консолей, мембран очень малой толщины-вплоть до 1.3 Такие элементы могут массово производиться методами, разработанными в технологии ИС. Кремний нетоксичен в большинстве своих химических соединений, и его производство не сопровождается получением загрязняющих окружающую среду отходов, тем более что благодаря низкой материалоемкости микроэлектроники объем его производства будет всегда очень малым, несопоставимым с масштабами металлургических и химических производств. Производство монокристаллического кремния происходит в два этапа: полупроводниковый прибор пластина кристалл В настоящее время при резке слитков кремния на пластины в качестве режущего инструмента применяют металлические диски с внутренней алмазной режущей кромкой.В данной курсовой работе рассмотрены основные способы производства полупроводниковых приборов.
План
Содержание
Введение
1. Технология изготовления полупроводниковых пластин
1.1 Требования к полупроводниковым подложкам
Вывод
В данной курсовой работе рассмотрены основные способы производства полупроводниковых приборов. От получения заготовки - монокристалла, до готового изделия т.е. транзистора, диода, ИМС.
На самом деле методов изготовления полупроводниковых приборов гораздо больше и они постоянно развиваются, особенно в настоящее время, когда основной упор в развитии полупроводниковых приборов сделан на уменьшение габаритных размеров компонентов при тех же характеристиках. Современные компоненты электронных схем, так называемые SMD компоненты (детали поверхностного монтажа), позволяют выполнять функциональные, компактные изделия, а микросхемы объединяют в своем корпусе более 10 тысяч элементов и целые функциональные блоки. Яркими представителями современной электроники являются современные планшетные компьютеры и смартфоны (smart - умный).
Список литературы
Введение
В данном курсовом проекте будет рассмотрен технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Технологический маршрут - это последовательность технологических операций применяемых для производства пластин, применяемых для изготовления ПП и ИМС.
Условно, весь производственный цикл проходит четыре основных стадии, выделенных на предприятии в отдельные подразделения: 1) изготовление полупроводниковых пластин, что включает в себя следующие технологии: шлифовка кремниевых пластин, диффузионные процессы формирования слоев полупроводниковых приборов;
2) установка кристаллов в кристаллодержатели и монтаж металлических выводов к пластинам полупроводника.
3) Сборка и герметизация готовых ПП и ИМС;
4) Проверка качества и электрических характеристик компонентов.
Таким образом, производство достаточно сложное и имеет большое количество технологических переходов.1. Березин А.С., Мочалкина О. Р.: Технология и конструирование интегральных микросхем. - М. Радио и связь, 1983. - 232 с., ил.
2. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. - М.: Радио и связь, 1991. - 528 с.: ил.
3. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов. - М.: Радио и связь, 1989. - 400 с., ил.
4. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование.: под ред. Л.А. Коледова. - М.: Высш. шк., 1984. - 231 с., ил.
5. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2000 - 488 с., ил.
6. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник ля вузов. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1987. - 464 с.: ил.
7. . Технология производства полупроводниковых приборов.
8. Полупроводниковые приборы.
Размещено на
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
