Изучение зонных диаграмм полупроводников, диэлектриков и металлов. Определение принципа работы полупроводникового стабилитрона. Рассмотрение каскада усиления на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и режима работы биполярного транзистора.
Федеральное агентство по образованию ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯВ собственных полупроводниках и диэлектриках имеется валентная энергетическая зона, которая в отсутствие возбуждения кристалла полностью заполнена электронами, и зона проводимости, которая в отсутствии возбуждения является пустой. Четыре электрона атома примеси образуют ковалентную связь с атомами полупроводника, а пятый электрон образует водородоподобную систему с некомпенсированным зарядом ядра и слабо связан с примесным атомом. Если концентрация примесей невелика, то примесные атомы слабо взаимодействуют друг с другом и кристалл имеет дискретный энергетический уровень на ниже дна зоны проводимости. Если ввести трехвалентную акцептурную примесь, примесные атомы займут положения в узлах кристаллической решетки и одна валентная связь у примесного атома окажется неполной. Чем выше концентрации примесей и чем больше их градиент в переходе, тем больше напряженность электрического поля в области пространственного заряда при равном обратном напряжении, и тем меньше обратное напряжение, при котором возникает пробой: · Туннельный, или зенеровский, пробой возникает в полупроводнике только тогда, когда напряженность электрического поля в p-n-переходе достигает уровня в 106 В/см.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
