Режимы работы МДП-структуры. Свойства и особенности режимов работы приборов с зарядовой связью. Устройство ПЗС с поверхностным каналом передачи. Образование скрытого канала переноса заряда. Основные схемы ПЗС-матриц. Сфера применения сенсора Super CCD.
Пусть полупроводник структуры n-типа и на все затворы подано одинаковое отрицательное напряжение U1, тогда под всеми затворами образуется ОПЗ шириной l0 (рис.1, а), этот заряд составляют положительные ионы донорной примеси. Если отрицательное напряжение на затворе З2 по абсолютному значению больше, чем на соседних затворах З1 и З3 (|U2| > |U1|), то под затвором З2 глубина обедненной области получается больше, чем под затворами З1 и З3 (рис. В этом случае зарядовый пакет под затвором З2 может храниться относительно долго (конечно, много меньше времени релаксации) и говорят при этом, что затвор З2 работает в режиме хранения информации. Эти потери связаны, во-первых, с тем, что скорости носителей заряда в пакете различны и требуется определенное время для переноса всего заряда, во-вторых, с тем, что часть зарядов оказывается захваченной приповерхностными ловушками. Для перемещения накопленного заряда от затвора к затвору, как это было описано, достаточно всего трех типов затворов - одного передающего, одного принимающего и одного изолирующего, разделяющего пары принимающих и передающих друг от друга, причем одноименные затворы таких троек могут быть соединены друг с другом в единую тактовую шину, требующую лишь одного внешнего вывода (рис.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
