Описание структуры и алгоритмов работы интегральных микросхем. Исследование образования поверхностных дефектов при воздействии низкоинтенсивного гамма-излучения. Методика прогнозирования отказов тестовых генераторов. Сопоставление результатов испытаний.
Аннотация к работе
интегральный микросхема дефект излучение В настоящее время остро стоит проблема обеспечения нормального функционирования бортовой аппаратуры космических объектов в течение 10 - 15 лет, а в перспективе 20 лет при воздействии ионизирующего излучения космического пространства. При этом значительную долю электронной компонентной базы (ЭКБ) составляют МОП приборы и МОП интегральные микросхемы (ИМС). Надо отметить, что наибольшее распространение получили комплементарные МОП ИМС (КМОП ИМС), которые построены на МОП транзисторах с п-каналом и р-каналом и которые обладают рядом существенных достоинств (низкая потребляемая мощность при достаточно высоком быстродействии, помехоустойчивость, масштабируемость). Поэтому сроки хранения и нормального функционирования КМОП ИМС представляют огромный интерес. Различают следующие этапы «жизненного цикла» ЭКБ, которые показаны на рис.1, взятом из [1]. Рис.1. Этапы «жизненного цикла» ЭКБ. На первом этапе наблюдается повышенная интенсивность отказов из-за технологических дефектов.