Описание структуры и алгоритмов работы интегральных микросхем. Исследование образования поверхностных дефектов при воздействии низкоинтенсивного гамма-излучения. Методика прогнозирования отказов тестовых генераторов. Сопоставление результатов испытаний.
При низкой оригинальности работы "Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
интегральный микросхема дефект излучение В настоящее время остро стоит проблема обеспечения нормального функционирования бортовой аппаратуры космических объектов в течение 10 - 15 лет, а в перспективе 20 лет при воздействии ионизирующего излучения космического пространства. При этом значительную долю электронной компонентной базы (ЭКБ) составляют МОП приборы и МОП интегральные микросхемы (ИМС). Надо отметить, что наибольшее распространение получили комплементарные МОП ИМС (КМОП ИМС), которые построены на МОП транзисторах с п-каналом и р-каналом и которые обладают рядом существенных достоинств (низкая потребляемая мощность при достаточно высоком быстродействии, помехоустойчивость, масштабируемость). Поэтому сроки хранения и нормального функционирования КМОП ИМС представляют огромный интерес. Различают следующие этапы «жизненного цикла» ЭКБ, которые показаны на рис.1, взятом из [1]. Рис.1. Этапы «жизненного цикла» ЭКБ. На первом этапе наблюдается повышенная интенсивность отказов из-за технологических дефектов.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
