Микроволновые электронные приборы. Принцип действия приборов с динамическим управлением электронным потоком. Принцип работы двухрезонаторного пролетного клистрона. Пространственно-временная диаграмма группирования электронов в отражательном клистроне.
ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ МИКРОВОЛНОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИДля микроволновой электроники наиболее типичны приборы с длительным взаимодействием, удовлетворяющие условию Т >> 1, где Т - время пролета электронов через пространство взаимодействия, занятое переменным полем. Простота их конструкции обусловлена тем, что это приборы с кратковременным взаимодействием; для них выполняется второе условие, если под Т понимать время пролета электронов через зазоры, где они взаимодействуют с резонаторами, четвертое условие будет выполняться, если Т - полное время пролета, включающее время пролета в пространстве дрейфа. Однако резонансное воздействие поля на электроны может иметь любой знак, в зависимости от фазовых соотношений; например, электроны, попавшие в ускоряющее поле волны, при синхронизме пребывают в нем продолжительное время, в результате чего эти электроны отбирают энергию у поля. В микроволновом диапазоне необходимо при анализе приборов учитывать следующие факторы: - время движения электрона внутри прибора соизмеримо с периодом СВЧ-колебаний (это время характеризуют углом пролета, показывающим, на сколько градусов изменится фаза колебаний за время пролета электронов): - геометрические размеры приборов становятся соизмеримыми с длиной волны колебаний, при этом колебательные системы и линии передачи необходимо рассматривать как цепи с распределенными параметрами. Входная активная проводимость в триоде существует изза потерь электромагнитной энергии входным сигналом при его взаимодействии с электронным потоком, так как в приборах с электростатическим управлением при положительном полупериоде на сетке СВЧ-поле ускоряет б?льшее число электронов, чем тормозит при отрицательном полупериоде (когда поле ускоряет электроны, оно тратит свою энергию, а когда тормозит - получает энергию от электронов).
Список литературы
1. Микроэлектронные устройства СВЧ/ Н.Т. Бова и др. Киев: Техника, 1984. 2. Червяков Г.Г., Кротов В.И. Полупроводниковая электроника: Учеб. пособие. М.: Уч-метод.издат.центр «Учебная литература», 2006. 230 с.
3. Полищук А. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния - настоящее и будущее силовой электроники // Силовая электроника. 200 №4. 4. Данилин В., Жукова Т. Транзистор на GAN. Пока самый "крепкий орешек"// Электроника: МТБ. 200 №4. С. 20 - 29.
Sabyasachi Nayak, Ming-Yh Kaoet al. 0.15 мт Power PHEMT Manufacturing Technology for Ka- and Q- Band MMIC Power Amplifiers. 2005 GAAS MANTECH Conf. Dig. Ppr., 200.
6. Майская В. SIGE-устройства. Нужная технология в нужное время // Электроника: НТБ. 2001. № 1. С. 28 - 32.
7. Шахнович И. Твердотельные СВЧ-приборы и технологии. Невоспетые герои беспроводной революции //Электроника: НТБ. 200 №4. С. 14.
8. Шахнович И. Твердотельные СВЧ-приборы и технологии //Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 200 №.
9. www.gaasmantech.org. Материалы конференций GAAS MANTECH.
10. НПП "Исток" развивает технологии твердотельной СВЧ-электроники. Интервью с С.И.Ребровым // Электроника: НТБ. 200 №4. С. 8 - 11.
11. E. Kohn, M. Schwitters et al. Diamond-MESFETS Synthesis and Integration. 2nd EMRS DTC Technical Conference, Edinburgh 2005 (www.emrsdtc.c om/conferences/2005/downloads//pdf/A26.pdf).
12. Валентинова М. Экзотическая память // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2001. №6. С. 24 - 29.
13. Лебедев И.В. Техника и приборы сверхвысоких частот. Т. 1, 2. М.: Высш. шк. 1972.
14. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника/ Под ред. проф. Н.Д. Федорова. М.: Радио и связь, 1998.
