Приборы полупроводниковые Термины и определения ГОСТ 15133-77 (СТ СЭВ 2767-80) Физические элементы полупроводниковых приборов Электрический переход (Переход, Elektrischer Ubergang (Sperrschicht), Junction) - переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом). Эмиттерный переход (Emitterubergang, Emitter junction) - электрический переход между эмиттерной и базовой областями полупроводникового прибора. Активная часть базовой области биполярного транзистора (Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors, Active part of base region) - часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу. Исток (Source, Sourse) - электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда. Обратное направление для p-n перехода (Sperrichtung des pn-Uberganges, Reverse direction of а P-N junction) - направление приложения напряжения, при котором происходит повышение потенциального барьера в p-n переходе.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
