Описание параметров и структуры мультидифференциальных операционных усилителей. Определение значения дифференциального коэффициента усиления, а также реализуемого коэффициента передачи синфазного напряжения усилителя. Определение напряжение дрейфа нуля.
При низкой оригинальности работы "Прецизионные аналоговые интерфейсы на базе двух мультидифференциальных операционных усилителей", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Прецизионные аналоговые интерфейсы на базе двух мультидифференциальных операционных усилителейСоздание аналоговых и аналого-цифровых интерфейсов смешанных систем на кристалле (СНК), ориентированных на взаимодействие с чувствительными элементами мостового типа всегда предполагает применение инструментальных усилителей (ИУ), выполняющих функции подавления синфазного сигнала и усиление дифференциального напряжения. Именно поэтому даже при использовании строго идентичных операционных усилителей (ОУ) минимальное значение коэффициента передачи синфазного напряжения определяется точностью реализации резистивных элементов. Напряжение дрейфа нуля ИУ () здесь также прямо пропорционально реализуемому дифференциальному коэффициенту усиления: , (3) эта взаимосвязь параметров и определяет область применения такого инструментального усилителя. Однако, наличие в структуре ДК1 компенсирующих обратных связей предварительно обеспечивает глубокое ослабление синфазного напряжения, а взаимосвязь режимов работы динамических нагрузок в структуре МОУ [5] позволяют обеспечить низкое значение [1]. Указанные особенности схемотехники МОУ позволяют увеличить достижимый дифференциальный коэффициент усиления при сохранении относительно высоких требований к и .
Список литературы
1. Крутчинский С.Г., Титов А.Е. Мультидифференциальный ОУ в режиме инструментального усилителя [Текст] // Научно-технические ведомости СПБГПУ, 2010. - №3 (101). - C. 200-204.
3. Krutchinsky S.G., Titov A.E., Tsibin M.S. Structural optimization of differential stage operational amplifiers // International Conference on Signal and Electronic System (ICSES’10). Poland: Institute of Electronics, Silesian University of technology, 2010. - P.253-257.
4. Krutchinsky S.G., Titov A.E., Svizev G.A. Symmetrical Differential Stages on CMOS Transistors with Circuits of Self-Compensation and Cancellation // Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’2012). Kharkov, Ukraine, 2012. - P. 241-244.
5. Прокопенко Н.Н., Серебряков А.И., Будяков П.С. Способ повышения стабильности нуля аналоговых микросхем с высокоимпедансным узлом в условиях температурных и радиационных воздействий [Текст] // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных схем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского, 2010. - С. 295-300.
6. Крутчинский С.Г., Исанин А.С., Прокопенко Н.Н., Манжула В.Г. Радиационно-стойкий измерительный усилитель на базе мультидифференциальных входных каскадов [Электронный ресурс] // «Инженерный вестник Дона», 2012, №3. - Режим доступа: http://www.ivdon.ru/magazine/archive/n3y2012/1045 (доступ свободный) - Загл. с экрана. - Яз. рус.
7. Крутчинский С.Г., Титов А.Е. Структурный синтез инструментальных усилителей на базе мультидифференциальных операционных усилителей (МОУ) [Текст] // Известия ЮФУ. Технические науки. Тематический выпуск «Актуальные проблемы производства и потребления электроэнергии», 2009. - С. 72-81.
8. Дворников О.В. Комплексный подход к проектированию радиационно-стойких аналоговых микросхем. Часть 2. Базовые схемотехнические решения АБМК 1-3 // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных схем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского, 2010. - С. 283-288.
9. О.В. Дворников, Чеховский В.А., В.Л. Дятлов, Прокопенко Н.Н., Старченко Е.И. Микросхема многоканального операционного усилителя и электрометрического повторителя на радиационно-стойком базовом матричном кристалле «АБМК-1.3» [Электронный ресурс] // «Инженерный вестник Дона», 2013, №1. - Режим доступа: http://www.ivdon.ru/magazine/archive/n1y2013/1557 (доступ свободный) - Загл. с экрана. - Яз. рус.
10. Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, С.Г. Крутчинский. Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем. ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т. экономики и сервиса». - Шахты : ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - 208 с.
Размещено на .ru
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
