Особенности и принципы осуществления позисторного эффекта в сегнетоэлектриках. Модели Хейванга и Джонкера. Технология и основные этапы получения позисторов, сферы их практического применения, экспериментальные исследования соответствующего эффекта.
позистор сегнетоэлектрик хейванг джонкер Современный научно-технический прогресс неразрывно связан с разработкой и освоением новых материалов. Особенности позисторного эффекта в сегнетоэлектриках Еще одной особенностью проводимости в сегнетоэлектриках является наличие позисторного эффекта в некоторых полупроводниковых сегнетоэлектриках. При введении в BaTiO3 небольших количеств (0,2-0,3 мол.%) некоторых ионов с валентностью выше двух, замещающих Ba2 , или ионов с валентностью выше 4-х, замещающих Ti4 (например, La3 или Nb5 ), сопротивление резко падает до 10-103 Ом•см. В этом случае увеличение электропроводности материала понятно из формулы твердого раствора , (1) где Me3 ? трехвалентный ион, а e- ? слабосвязанный электрон. (3) Типичная температурная зависимость удельного сопротивления полупроводникового титаната бария, легированного малыми добавками разных редкоземельных элементов, приведена на рисунке 2.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
