Распределение марганца в гетероструктуре. Метод поляризации горячей фотолюминесценции во внешнем магнитном поле. Возможные способы управления поляризацией гетероструктур. Зависимости циркулярной поляризации от магнитного поля в спектральной точке.
Образцы и экспериментальная установка Методика эксперимента Результаты и обсуждения Заключение Список литературы Введение С момента открытия ферромагнетизма в АIIIBIV в 1996 [1] году эти материалы и гетероструктуры на их основе оказались привлекательными для исследований в связи с возможностью внедрения магнитных явлений в полупроводниковую электронику. Одним из самых перспективных материалов является GaAs легированный Mn ( (Ga,Mn)As ). Изменения толщины, разделяющего д слои Mn, слоёв GaAs должно было позволить изменять ферромагнитные свойства (температура Кюри и коэрцитивная сила), а так же управлять спиновой поляризацией носителей в слоях GaAs. Однако, была обнаружена сильная зависимость спиновой поляризации дырок и электронов от толщины слоёв GaAs разделяющих д слои Mn, а так же её зависимость от состояния остаточного Mn в слоях GaAs. В нашей работе [9] поляризация носителей в ферромагнитных гетероструктурах Mn/GaAs измерялась методом горячей фотолюминесценции электронов (ГФЛ). Мы используем два таких образца: с концентрацией Mn ? 1017 см-3, обозначенный на рисунках как DLT, и с процентным содержанием Mn 4.3%, обозначенный на рисунках как FM1. Исследованные образцы Обозначение гетероструктуры A, нм B, нм (0.11/2.5) 0.11 2.5 (0.11/3.6) 0.11 3.6 (0.11/5) 0.11 5 (0.11/7.2) 0.11 7.2 (0.11/14.4) 0.11 14.4 Идеальный профиль гетероструктуры представлен на Рис.1 (а), из-за диффузии часть марганца попадает в области арсенида галлия, поэтому реальный профиль распределения марганца (Рис. Излучение лазера 1, проходя через систему зеркал, не показанную на Рис.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
