Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.
Полупроводниковые стабилитроны стабилизация напряжение пробой полупроводниковый диодГерманиевые диоды для стабилизации напряжения непригодны, так как пробой у них легко приобретает форму теплового и характеристика в этом режиме имеет неустойчивый падающий участок. На рабочем участке характеристики (от Imin до Імах) зависимость напряжения от тока характеризует дифференциальное сопротивление стабилитрона (см. рис. Оно составляет несколько десятков и даже единиц Ом, причем меньшая величина соответствует стабилитронам, имеющим рабочее напряжение 7-15 В и большой рабочий ток. Тогда напряжение на стабилитроне и нагрузке будет изменяться на величину ?UСТ, которая, как видно из рис. При Ro/rд >> 1 получаем, что ?UСТ << ?ЕО, т. е. напряжение на выходе изменяется значительно меньше, чем напряжение на входе стабилитрона.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
