Полупроводниковые приборы - Курсовая работа

бесплатно 0
4.5 49
Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Фоторезисторы – полупроводниковые приборы, изменяющие своё сопротивление под действием светового потока. Максимальная спектральная чувствительность. Плоскостные полупроводниковые диоды.

Скачать работу Скачать уникальную работу

Чтобы скачать работу, Вы должны пройти проверку:


Аннотация к работе
Полупроводниковым резистором называют полупроводниковый прибор, использующий в своей работе зависимость электрического сопротивления полупроводника от тех или иных факторов окружающей среды. В зависимости от типа примеси и конструкции резистора удается получить различные зависимости от управляющих параметров. Полупроводниковые резисторы бывают: Терморезисторы (R - зависит от Т); Резистивный датчик ионизирующего излучения (R - зависит от интенсивности ионизирующего излучения). Терморезисторы изготавливают из композитных p-n материалов (оксиды металлов и смеси оксидов) в виде стержней, колец, дисков методом опикания.Конкретный тип характеристики зависит от типа варистора, а также незначительно от температуры. Это напряжение, при котором ток через варистор имеет некоторое нормированное значение (1MA,10MA). Фоторезисторы - полупроводниковые приборы, изменяющие свое сопротивление под действием светового потока. По максимальной спектральной чувствительности фоторезисторы бывают для видимой и инфокрасной части спектра. Чувствительные элементы помещают в пластмассовый или металлический корпус.Наибольшее применение получили германиевые и кремневые полупроводниковые диоды, а также диоды, выполненные на основе арсенида галлия. Плоскостные полупроводниковые диоды изготавливаются методом вплавления частиц полупроводника с проводимостью n-типа в монокристалл с проводимостью р-типа. Область проводимостью р-типа называют анодом, проводимостью n-типа - катодом. Однако также имеют большую емкость p-n перехода, что ухудшает их частотные свойства. диод резистор полупроводниковый По назначению различают следующие типы полупроводниковых диодов: а) диоды точечные делятся на: диоды выпрямительные и СВЧ - диоды;Биполярный транзистор - это трех выводной полупроводниковый приборна основе двух p-n переходов предназначенный для усиления мощности электрического тока. Когда Uкб = Uбэ все токи через транзистор Ік = Іэ = ІБ равны нулю, поскольку диффузионные и дрейфовые токи переходов равны и противоположны по направлению. Поэтому напряжение Uкб обычно больше в несколько раз чем Uбэ. Связь между приращением эмиттерного и коллекторного тока характеризуется коэффициентом передачи тока: при Uкб=const ? при Uкб=const. Электрическое состояние транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, характеризуется четырьмя величинами: Іб, Uбэ, Ik, Uкэ и зависимостями между ними: Rвх = DUКЭ/DIБ, при Uкэ = const = h11э (входное сопротивление транзистора);Электрод, из которого в канал вводят основные носители заряда, называют истоком, а электрод, через который основные носители заряда уходят из канала - стоком. Полевые транзисторы изготавливают из кремния и в зависимости от электропроводимости исходного материала подразделяют на транзисторы с р-каналом и n-каналом. Полевой транзистор с управляющим переходом - это полевой транзистор, у которого затвор электрически отделен от канала закрытом p-n переходом. В транзисторе с n-каналом - основные носители электроны, которые движутся вдоль канала от истока к стоку, образуя ток стока Ic. При подаче запирающего напряжения на p-n переход между затвором и каналом на границах возникает равномерный слой, обедненный носителями и обладающий высоким удельным сопротивлением, при этом канал обедняется носителями заряда и ток стока соответственно уменьшается.Тиристоры - двух или трех электродные полупроводниковые приборы на основе трех и более p-n переходов, вольтамперные характеристики которого имеют участок отрицательного динамического сопротивления. Тиристоры бывают: диодные, неуправляемые или динисторы; Питающее напряжение подается на тиристор таким образом, что переходы П 1 и П 3 оказываются открытыми, а переход П 2 закрытым.При уменьшении тока через тиристор происходит восстановление свойств перехода П 2. Напряжение Uвкл, при котором происходит пробой может быть снижено, введением не основных носителей в любой из слоев прилегающих к переходу П 2, т.е. при росте тока управления снижается пробивное напряжение. При подаче на тиристор обратного напряжения в нем возникает небольшой ток, поскольку в этом случае закрыты переходы П 1 и П 3. В симметричных диодных и триодных тиристорах обратная ветвь характеристики совпадает с прямой. Это достигается встречно-параллельным включением двух одинаковых четырехслойных структур или применением специальных пятислойных структур с четырьмя p - n переходами.

План
План

1. Полупроводниковые резисторы

2. Полупроводниковые диоды

3. Полупроводниковые транзисторы

4. Полевые транзисторы

5. Тиристоры

1. Полупроводниковые резисторы

Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность
своей работы


Новые загруженные работы

Дисциплины научных работ





Хотите, перезвоним вам?

Что-то пошло не так...
Похоже, вы используете блокировщик рекламы.