Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.
примеси в полупроводник уже при дозах порядка 10-7 - 10-9 % существенно увеличивает его электропроводность. У большинства полупроводников сильное изменение электрической проводимости возникает под воздействием света, ионизирующих излучений и других энергетических воздействий. Применяемые в технике полупроводники имеют совершенную кристаллическую структуру. Их атомы размещены в пространстве в строго периодической последовательности на постоянных расстояниях друг от друга, образуя кристаллическую решетку. Каждый атом, находящийся в кристаллической решетке, электрически нейтрален. Силы, удерживающие атомы в узлах решетки возникают за счет обмена взаимодействующих атомов валентными электронами. Подобная связь атомов носит название ковалентной связи. Равновесное состояние системы частиц соответствует минимуму потенциальной энергии и является устойчивым, так как для разрушения молекулы необходима затрата энергии. В германии и кремнии, являющихся четырехвалентными элементами, на наружной оболочке имеется по четыре
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
