Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
1. Температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников 1.1 Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике 1.2 Температурные зависимости концентрации в донорном полупроводнике 1.3 Температурная зависимость подвижности носителей заряда 2. Полупроводниковые материалы Si и Ge 2.1 Основные сведения о кристаллическом строении 2.2 Получение и выращивание монокристаллов 2.3 Метод Чохральского и метод зонной плавки 2.4 Основные физико-химические и электрофизические свойства 2.5 Осаждение эпитаксиальных слоев кремния 2.6 Применение в полупроводниковых приборах и ИС 3. Методы контроля параметров полупроводниковых материалов: проводимости, концентрации, подвижности, ширины запрещенной зоны 3.1 Проводимость полупроводников 3.1.1 Преимущества и недостатки методов исследования проводимости полупроводников 3.2 Определение подвижности 3.2.1 Факторы, определяющие подвижность 3.3 Концентрация собственных носителей Вывод Список использованной литерат
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
