Вольтамперная характеристика диода, его выпрямительные свойства, характеризуемые отношением обратного сопротивления к прямому. Основные параметры стабилитрона. Отличительная особенность туннельного диода. Использование светодиода в качестве индикатора.
Лекция 2В реальных полупроводниковых приборах чаще всего используются несимметричные p-n-переходы, у которых одна из областей, называемая эмиттером, имеет гораздо большую концентрацию примеси (меньшее сопротивление), чем другая, называемая базой (сопротивление базы у различных диодов составляет величину 1…30 Ом). У полупроводникового стабилитрона используется слабая зависимость напряжения на p-n-переходе от протекающего через него тока на участке электрического пробоя (рис. В вырожденном полупроводнике энергетические уровни примесных атомов образуют зоны, которые сливаются с соответствующими зонами областей p-и n-типа, в результате чего уровни Ферми , как и в металле, располагаются в разрешенных зонах: в валентной зоне р-полупроводника и в зоне проводимости полупроводника n-типа (рис. Поскольку уровень Ферми является границей распределения электронов и дырок по энергетическим уровням, в образовании тока через переход принимают участие в основном только те электроны, энергия которых ниже уровня Ферми, и только те дырки, энергия которых выше уровня Ферми. 1.11,б), поэтому поток электронов, проникающих по “туннелю” (“по горизонтали”) из р-полупроводника в n-полупроводник, резко увеличится (на большей глубине валентной зоны находится большее количество электронов), а поток электронов из n-полупроводника в р-полупроводник не изменится, в результате чего во внешней цепи потечет значительный обратный ток (точка б на графике рис.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
