Электропроводность полупроводников, образование и свойства p-n-перехода. Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Выпрямительный полупроводниковый диод, его предназначение и характеристики.
Рассмотрим схематически образование р-п-перехода при соприкосновении двух полупроводников с различными типами электропроводности (рис. Возникшая разность потенциалов создает в запирающем слое электрическое поле, препятствующее как переходу электронов из полупроводника п-типа в полупроводник р-типа, так и переходу дырок в полупроводник п-типа. В то же время электроны могут свободно двигаться из полупроводника р-типа в полупроводник п-типа, точно так же как дырки из полупроводника п-типа в полупроводник р-типа. Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле: а - к р-п-переходу приложено обратное напряжение; б - к р-п-переходу приложено прямое напряжение Если к р-п-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем слое электрическое поле напряженностью Евн, совпадающее по направлению с полем неподвижных ионов напряженностью Езап (рис.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
