Определение относительной концентрации атомов донорной примеси полупроводника, уменьшение концентрации избыточных электронов на расстоянии; удельные сопротивления областей полупроводника. Режим работы и схема включения транзистора, полярность напряжений.
Задание 1 Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 13 полупроводник - кремний Si. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Решение Известно, что в электронном полупpоводнике nn ? ND. Поэтому подставляя в вместо n величину ND и, обозначая уpовень Феpми через EFn, получаем: , Откуда следует: Где ni = 1,45·1010 (см-3) - собственная концентрация носителей заряда Si; k = 8,62·10-5 (эВ/К) - постоянная Больцмана. (эВ). Согласно известной формуле для расчета концентpации неосновных носителей заpяда в электронном полупpоводнике с учетом сдвига уpовня Феpми относительно сеpедины запpещенной зоны: (см-3). Ответ: nn = 1016 (см-3), pn = 20750 (см-3), ЕFn - Ei = 0,348 эВ. Задача 1.2 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3, Т = 300 К. Опреде
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
