Металлургические свойства арсенида галлия - химического соединения галлия и мышьяка. Полупроводниковые приборы на его основе. Выращивание кристаллов, направленная кристаллизация. Проведение зонной плавки дополнительной очистки и получения монокристалла.
Московский Государственный Открытый Университет. Факультет: Информатики и радиоэлектроники Курсовая работа на тему: Получение Арсенида Галлия Выполнил: Михайлов Д. П Шифр: 608859 Специальность: 200300 2009 г. Содержание Арсени?д га?ллия (GaAs) Металлургические свойства GaAs Выращивание кристаллов GaAs Направленная кристаллизация Зонная плавка Метод Чохральского Эпитаксиальные пленки арсенида галлия Заключение Используемая литература Арсени?д га?ллия (GaAs) Химическое соединение галлия и мышьяка. Во многих случаях при выращивании монокристаллов GaAs методами Бриджмена, бестигельной зонной плавкой и из паровой фазы получали полуизолирующие кристаллы, в которых концентрация носителей составляет менее 109 см3.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
