Конструкции полевых транзисторов с управляющим р-п переходом. Стоко-затворная и стоковая (выходная) характеристики, параметры и принцип действия транзисторов. Структура транзисторов с изолированным затвором. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью.
Полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью (пзс) 1. Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом Полевыми называют транзисторы с управляемым каналом для тока основных носителей заряда (с n- и p- каналом представлены на рис. 1). Эти транзисторы называются униполярными, т.к. в них ток переносится за счет дрейфа лишь основных носителей. ПТ делят на транзисторы с затвором в виде управляющего р-n перехода или барьера Шотки и транзисторы с изолированным затвором (МОП или МДП транзисторы). Рассмотрим транзисторы с затвором в виде управляющего р-n-перехода предложенным в 1952 г. Вильямом Шокли и названным унитроном. Рис. 1 В кристалле n-типа формируются области р-типа, которые образуют р-n-переходы. В центральной части кристалла под р-n переходами образуется канал, размеры которого можно изменять величиной потенциала на управляющем электроде - затворе (З), к торцам пластины припаяны омические контакты. Один из этих электродов называется истоком (И), а другой - стоком (С). Между истоком и стоком приложено нап
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
