Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.
При низкой оригинальности работы "Полевой транзистор с управляющим электронно-дырочным переходом", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТВ процессе достижения поставленной цели будут проведены измерения семейства выходных ВАХ, а так же семейства ВАХ прямой передачи полевого транзистора, включенного по схеме с общим истоком. По полученным данным, будут проведены расчеты зависимости крутизны S = f(UЗИ) при UСИ = const и зависимостей выходного дифференциального сопротивления RД ВЫХ= f1(UСИ) при UЗИ = const, и RД ВЫХ= f2(UЗИ) при UСИ = const. транзистор сопротивление биполярный полевой В основе работы ПТУП лежат физические процессы p-n перехода металл-диэлектрик-полупроводник. Как следствие, ввиду большой, по сравнению с диффузионной длинной носителей стока и истока, длинны канала происходит его перекрытие постепенное. При измении ширины не обедненного канала, т.е. его сечения, изменяется его сопротивление, При использовании ПТУП главным условием полярности напряжений является условие подачи обратного напряжения на затвор устройства относительно.
