Ознакомление с результатами анализа малосигнальных режимов, который проводится с помощью эквивалентных схем и электрических параметров биполярного транзистора. Рассмотрение и характеристика зависимости параметров биполярного транзистора от частоты.
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; электрический биполярный транзистор в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RBX. Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Задача 3: Используя h-параметры, полученные в задаче 2, рассчитать коэффициенты усиления для сигнала малой амплитуды и входное сопротивление. Задача 4: Используя h-параметры (задача2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты?Н21?/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов. На входных характеристиках (рисунок 1.2) рабочую точку определяем как точку пересечения ординаты, соответствующей току ІБ0=350 МКА, и характеристики при UКЭ=10 В (РТ).
План
Учебным планом предусмотрено выполнение домашнего задания по разделу курса ?Биполярные транзисторы?.
Список литературы
1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д. - М.: Радио и связь, 1998. Стр.70-145.
2. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр.140-197.
3. Батушев В.А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр.93-166
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
