Основні види парамагнітних дефектів в імплантованих шарах оксидів кремнію, плівках SіOx та опроміненому електронами 6H-SіC p-типу. Загальна характеристика спектрів парамагнітних дефектів, утворених внаслідок опромінення кристалів 6H-SіC електронами.
При низкой оригинальности работы "Парамагнітні дефекти в оксидах кремнію з нанокристалітами та карбіді кремнію p-типу", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Необхідність проведення досліджень методом електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) шарів діоксиду кремнію, в яких формуються нанокристаліти, викликана тим, що утворені на різних стадіях цього процесу дефекти в значній мірі відображають характер структурних змін, які відбуваються у композиті в залежності від способу його отримання. Актуальність другого напрямку даного дисертаційного дослідження обумовлена тим, що завдяки нещодавнім досягненням у технології вирощування якісних монокристалів та епітаксійних плівок карбіду кремнію, використання ряду визначних фізичних властивостей цього матеріалу викликає підвищений інтерес серед технологів та дослідників. На відміну від Si, при використанні планарної технології термодифузія не може бути застосована для легування SIC у звязку з дуже малими коефіцієнтами дифузії домішок при температурах, коли діелектричні маскуючі шари ще можуть бути використані. До початку даного дисертаційного дослідження з-поміж власних дефектів, таких як вакансії, міжвузля, антисайти та пари Френкеля у SIC було однозначно визначено мікроскопічну структуру лише відємно зарядженої вакансії кремнію. Для цього при виконанні досліджень необхідно досягти достатньої повноти експериментальних даних, розшифрувати спектри ЕПР й теоретично обгрунтувати модель електронної структури дефекту, яка даватиме саме ті параметри, які були визначені з експерименту.Вперше в імплантованих іонами Ge шарах SIO2 було виявлено дефекти Ge(1) та Ge(2) (рис. При цьому спостерігається симетрична лінія ЕПР, що має параметри g = 2.0055 і DHPP = 0.62 МТ, які є типовими для дефектів в аморфному кремнії (a-Si). Підвищення температури відпалу до 11000С знову приводить до зменшення загальної кількості дефектів, асиметрії форми лінії ЕПР та збільшення її ширини, повязаного з появою особливостей поблизу g » 2.008 і g » 2.002 (рис. Виходячи з повного аналізу кутової залежності надтонких компонент та їхньої інтенсивності по відношенню до ліній центрального переходу було зроблено висновок про те, що дефекти Ky1, Ky2 та Ky3 знаходяться в оточенні чотирьох атомів кремнію та, у відповідності з цим, займають положення вуглецю в кристалічній гратці. З урахуванням хорошого співпадіння розрахованих (пятий стовпчик таблиці 1) та експериментально визначених параметрів НТВ, дефекти Ky1 та Ky2 були ідентифіковані як позитивно заряджена вакансія вуглецю у двох кристалографічно нееквівалентних квазікубічних позиціях гратки 6H-SIC.
План
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ
Список литературы
1 Bratus’ V.Ya., Valakh M.Ya., Vorona І.Р., Petrenko T.T., Yukhimchuk V.A., Hemment P.L.F., Komoda T. Photoluminescence and paramagnetic defects in silicon-implanted silicon dioxide layers // Journal of Luminescence. - 1999. - №80.- P.269-273.
2. Братусь В.Я., Бережинский Л.И., Валах М.Я., Ворона И.П., Индутный И.З., Петренко Т.Т., Шепелявый П.Е., Юхимчук В.А., Янчук И.Б. Структурные превращения и образование нанокристаллитов кремния в пленках SIOX. // Физика и техника полупроводников. - 2001. - T. 35, №7, C. 854-860.
3. Bratus’ V.Ya., Makeeva І.N., Okulov S.M., Petrenko T.L., Petrenko T.T., von Bardeleben H.J. EPR study of carbon vacancy-related defects in electron-irradiated 6H-SIC // Materials Science Forum. - 2000. - Vols.353-356. - P. 517-521.
4. Bratus" V. Ya., Petretko T.T., von Bardeleben H.J., Kalinina E.V., Hallen A. Vacancy-related defects in ion-beam and electron irradiated 6H-SIC // Applied Surface Science. - 2001. - Vol. 184. - P. 229-236.
5. Bratus" V.Ya., Makeeva І.M., Okulov S.M., Petrenko T.L., Petrenko T.T., von Bardeleben H.J. Positively charged carbon vacancy in 6H-SIC: EPR study // Physica B. - 2001. - Vol. 308-310. - P. 621-624.
6. Petrenko T.T., Petrenko T.L., Bratus" V. Ya., Monge J.L. Symmetry, spin state and hyperfine parameters of vacancies in cubic SIC // Applied Surface Science. - 2001. - Vol. 184. - P. 273-277.
7. Petrenko T.T., Petrenko T.L., Bratus’ V.Ya., Monge J.L. Calculation of hyperfine parameters of positively charged carbon vacancy in SIC // Physica B. - 2001. - Vol 308-310. - P. 637-640.
8. Petrenko T.T., Petrenko T.L., Bratus’ V.Ya. Carbon -split interstitial in SIC // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2002. - Vol. 14, № . P. 12433 - 12440.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
