Дослідження фізичних основ щодо способів створення нових структур кремній на ізоляторі та арсенідгалію на ізоляторі різними методами: "DeleCut" (ion irradiated Deleted oxide Out) та "SmartCut" (для усунення недоліку використання базового методу).
При низкой оригинальности работы "Особливості технології кремній- та арсенід галію на ізоляторі", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Метод DELECUT дозволяє суттєво знизити температуру відпалу та концентрацію радіаційних дефектів в структурах КНІ і АГНІ, зменшити товщину відсіченого шару кремнію чи арсеніду галію та перехідного шару між шаром (КНІ) або (АГНІ) і захованого оксиду (оксинітриду). Сьогодні у світі використовуються два основних методи створення пластин КНІ (Silicon on Isolation - SOI), імплантаційний метод - впровадження на глибину кристалу іонів кисню (O2 ) - Silicon Implanted by Oxygen - SIMOX з наступним синтезом захованого оксиду при відпалі та метод водневого переносу кремнію з оксидом (SMARTCUT SOI), який полягає в прямому зрощуванні опроміненої воднем донорної окисленої пластини кремнію з опірною підкладкою з наступним майжеповнимвидаленнямдонорноїпластинишляхом її сколу імплантаційним відпалом [4]. Фінішними операціями в методі Брюеля після переносу шару кремнію з оксидом на опірну підкладку є високотемпературна обробка-відпал при Т=1100-1200 °С, яка покращує параметри структур КНІ за рахунок відпалу радіаційних дефектів в кремнії, які захоронені в SIO2 , видаленням захованого водню та закріплення зв?язків нам межі зрощування[6, 7]. Метод даних досліджень - розробка методів формування пластин КНІ або АГНІ із властивостями відсіченого шару кремнію чи арсеніду галію і захованого діелектрикачинапівізолюючогонапіпровідника,якіб не уступали властивостям епітаксійного чи об?ємного матеріалу і термічного оксиду, а також розробка сучасної технології і виготовлення субмікронних (0,25-0,6) мкм КНІ КМОН транзисторів для вивчення особливостей технологічного процесу і діагностування електрофізичних параметрів на основі тестових структур технологічної САПР. Основою технології водневого переносу є ефект формування на глибині проектного пробігу іонів водню RP мікротріщин розміром до 80-100 нм, в яких при наступній термообробці проходить вже накопичення газоподібного водню, що приводить до підвищеного тиску в мікротріщині, її росту і до відокремлення плівки кремнію від решти кристалу.Розроблена технологія багатозарядної молекулярної іонної імплантації, яка дозволяє при низькій температурі формувати якісні шари монокремнію на ізоляторі SIXOYNZ (оксинітриду). Розроблена технологія формування КНІ структур з використанням багатозарядної радикальної імплантації, що дозволяє як мінімум, на порядок знизити ціну КНІ - структур та забезпечити їх високу якість.
Вывод
Розроблена технологія багатозарядної молекулярної іонної імплантації, яка дозволяє при низькій температурі формувати якісні шари монокремнію на ізоляторі SIXOYNZ (оксинітриду).
1. Переваги технології DELECUT в порівнянні з технологією SMARTCUT зв?язані з використанням в ролі захованого діелектрика термічного оксиду на неопроміненій пластині. Це дозволяє уникнути його радіаційного ушкодження.
2. Матеріал затвору, час життя основних носіїв заряду, стан базової області, товщина відсічного шару моно-Si; напруга на протилежному затворі, довжина каналу.
3. Розроблена технологія формування КНІ структур з використанням багатозарядної радикальної імплантації, що дозволяє як мінімум, на порядок знизити ціну КНІ - структур та забезпечити їх високу якість.
4. Проведені порівняльні аналізи електрофізичних параметрів різних технологій формування КНІ - структур для оптимального вибору топології їх формування, які показали, що дані технології дозволяють значно пришвидшити процес їх виготовлення і цим самим здешевити виробництво.
Список литературы
1. Коледов, Я. А. Конструктированые и технология мікросхем. Курсовое проектирование [Текст]: учеб. пос. для вузов / Я. А. Коледив, В. А. Волков, Н. К. Докучаев; под ред. П. А. Коледова. - М.: Высшая школа, 1992 - 231 с.
2. Чистяков, Ю. Д. Технология СБИС [Текст]: в 2-х кн. / под ред. С. Зи; пер. с англ. Ю. Д. Чистякова. - М.: Мир, 1986. - Кн. 2. - 455 с.
3. Айнспрук, Н. У. Арсенид галлия в микроелектронике [Текст] / У. Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан и др.; под ред. Н. Айнспру-ка, У. Уиссмена; пер. с англ. под. ред. В. Н. Мордковича. - М: Мир, 1988. - 554 с.
4. Ди Лоренцо, А. В. Полевие транзисторы на арсениде галлия. Принципы работи и технология изготовления [Текст] / под ред. А. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола; пер с англ. под ред. Г. В. Петрова. - М.: Радио и связь, 1988. - 489 с.
5. Ватанаба, Н. Проектирование СБИС [Текст] / Н. Ватанаба, К. Асада, К. Кани, Т. Оцуки; пер с англ. под ред. Л. В. Поспелова. - М.: Мир, 1988. - 304 с.
6. Новосядлий, С. П. Суб-наномікрона технологія структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий. - Івано-Франківськ: Місто НВ, 2010. - 456 с.
7. Новосядлий, С. П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий. - Івано-Франківськ: Сімик, 2003. - С. 52-54.
8. Новосядлий, С. П. Радіаційна технологія при формуванні, субмікронних структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий // Металофізика і новітні технології. - 2002. - № 7. - С. 1003-1013.
9. Новосядлий, С. П. Формування кремнієвих епітаксійних структур для суміщених Ві - К - МОН і Д - МОН технологій ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий // Металофізика і новітні технології. - 2002. - Т. 24, № 3. - С. 353-365.
10. Березин, А. С. Технология конструирования ИС [Текст] / А. С. Березин, О. Р. Могалкин. - М.: Дис. - 1992. - 254 с. 11. Алексеенко А. Г. Основы микросхемотехники [Текст] / А. Г. Алексеенко. - М.: Лаб. баз знаний. - 2002. - 286 c.
12. Павлов, В. М. Схемотехника аналогових схем [Текст] / В. М. Павлов, В. М. Ночин. - М.:Гор.мик-техника. - 2001. - 320 с.
31
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
