Пристрої, які формують на виході або напругу протилежної полярності при практично рівних абсолютних значеннях, або напругу однієї полярності. Схема порівняння операційного підсилювача. Використання інтегральних схем. Еквівалентні моделі компараторів.
При низкой оригинальности работы "Особливості схемотехнічного та фізико-топологічного проектування аналогових інтегральних компараторів", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Пристрій порівняння сигналів або компаратор виконує функцію порівняння або двох вхідних сигналів між собою, або одного вхідного сигналу з деяким наперед заданим еталонним рівнем. Крім параметрів операційних підсилювачів до основних параметрів компаратора слід віднести його швидкодію, яку практично характеризуватися часом відновлення твідн.? Час відновлення компаратора відн - це час, який вимірюється при подачі на вході стандартних сигналів: на неінвертуючий вхід подається постійна напруга 0,1 В а неінвертуючий - напруга тієї ж полярності, але з амплітудою яка перевищує рівень 0,1 В на величину напруги відновлення Uвідн=5 МВ. В такому випадку час відновлення компаратора визначається, як часовий інтервал між моментами рівності напруг на входах компаратора і моментом, коли його вихідна напруга досягає певного рівня Uпор (рис. Тому як і ці ОП даний компаратор може працювати від одиничного джерела живлення додатної полярності, а також він може працювати і від здвоєного джерела живлення, а саме від напруги 2,3 до 36 В або ±18В, коли джерело живлення здвоєне. компаратора (транзистора Q8 ) підключати навантажуваний резистор RL , який другим своїм виводом підключенийдоджереланапругиякджерелаживлен-ня компаратора. В результаті цього коефіцієнта закритий) і насичення транзистора до значен-передачі (підсилення/за струмом цих транзисторів b ня IB7 =100/b7 , що відповідно буде відповіда-динамічна передатна провідність qm підтримується ти насиченню транзистора ?Q7 . IB7 буде змінюва-досить високою). тись за рахунок зміни вхідної напруги виразом: 7Визначено схемотехнічні, технологічні і топологічні особливості проектування інтегральних аналогових і цифрових компараторів. Реалізовані на конкретних прикладах шляхи підвищення швидкодії компараторів за рахунок: - зменшення часу розсмоктування за рахунок скорочення часу життя неосновних носіїв заряду осадженням золота із водневого розчину золотохлористоводневої кислоти; Розроблена технологічна САПР на основі тестових структур, що забезпечують високий рівень формування ОП на біполярних транзисторах.
Вывод
1. Визначено схемотехнічні, технологічні і топологічні особливості проектування інтегральних аналогових і цифрових компараторів.
2. Реалізовані на конкретних прикладах шляхи підвищення швидкодії компараторів за рахунок: - зменшення часу розсмоктування за рахунок скорочення часу життя неосновних носіїв заряду осадженням золота із водневого розчину золотохлористоводневої кислоти;
- зменшення часу розсмоктування неосновних носіїв заряду і складу шляхом збільшення оберненого а струму бази.
3. Запропонована епітаксійна технологія формування швидкодіючих операційних підсилювачів.
4. Розроблена технологічна САПР на основі тестових структур, що забезпечують високий рівень формування ОП на біполярних транзисторах.
б
Рис. 13. Вихідні каскади компаратора напруги ?A 760 (фірми Fairohild Semiconductor): а - переведенням високого стану в низький; б - переведенням із низького стану у високий
Звичайно, є ще шлях підвищення швидкодії такого компаратора, якщо ще локально підлегувати колекторні області вихідних каскадів осадженням золота із водневого розчину залотлхлористоводневої кислоти. Тоді час спрацювання компаратора може досягти 6-10 pc .
Список литературы
1. Жуйков, В. Я. Схемотехніка електронних систем: Підручник в двох томах [Текст] / В. Я. Жуйков, В. С. Бойко, А. А. Зорі // Цифрова схемотехніка. - 2002. - Т. 2. - 408 с.
2. Сенько, Є. В. Електроніка і мікросхемотехніка: Підручник для вищих навчальних закладів освіти: у 4 - х томах [Текст] / Є. В. Сенько, М. В. Панасенко, Є. В. Сенько Під редакцією В. І. Сенька. - к. ВТО, Видавництво «Обереги - 2000 Т - 1. Елемента бази електронних пристроїв, 2000. - 300 с.
3. Сенько, Є. В. Електроніка і мікросхемотехніка: Підручник для вищих навчальних закладів у 4 - х томах [Текст] / Є. В. Сенько, М. В. Панасенко, Є. В. Сенько. - Харків Фоліо, 2002. - 510 с.
4. Новосядлий, С. П. Суб-наномікрона технологія структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий. - Івано-Франківськ Місто НВ, - 2010. - 456 с.
5. Новосядлий, С. П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий. - Івано-Франківськ : Сімка, 2003. - C. 52-54.
6. Новосядлий, С. П. Радіаційна технологія при формуванні, субмыкронних структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий //
Металофізика і новітні технології - 2002. - С. 1003-1013.
14
Прикладная физика
7. Новосядлий, С. П. Формування кремнієвих епітаксійних структур для суміщених Ві - К - МОН і Д - МОН технологій ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий // Металофізика і новітні технології. - 2002. - C. 353-365.
8. Новосядлий, С. П. Формування МОН - транзисторів з ізоляцією активних елементів пористим кремнієм [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Вівчарук // Технологія і конструктування в електронній апаратурі. - 2009. - № 3 (31). - С. 35-39.
9. Новосядлий, С. П. Фізико - технологічні особливості формування металізації субмікронних арсенідгалієвих структур іонним фрезеруванням [Текст] / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник, Т. П. Кіндрат, В. М. Варварук // Східно-Європейський журнал передових технологій. - 2013. - № 4 (5) 64. - С. 1-6.
10. Ifeachor, E.C. A new microcomputer-based online ocular artefact removal (OAR) system [Text] / E. C. Ifeachor, B. W. Jervis, E. L. Morris, E. M. Allen, N. R. Hudson. - IEEE Proc. - 1986. - № 133. - С. 291-300. doi:10.1049/ip-a-1.1986.0040
11. Ifeachor, E. C. Knowledge-based enhancement of human EEG signals [Text] / E. C. Ifeachor, M. T. Hellyar, D. J. Mapps, E. M. Allen // IEEE Proc. - 1990. - № 137(5). - P. 302-310. doi:10.1049/ip-f-2.1990.0046
12. Harris, S. P Automatic design of frequeneg sampling filters by hybrid Genetic Algorithm Techniques [Text] / S. P. Harris, E. C. Ifeachor // IEEE Transaction on Signal Processing. - 1998. - № 46(K). - P. 3304-3314. doi:10.1109/78.735305
13. Симонов, В. В. Оборудование ионной имплантации [Текст] / В. В. Симонов, Л. В. Корнилов. - М: Радио и связь, 1988. - 354 c. 14. Риссел, Х. Ионная имплантация [Текст] / Х. Риссел, И. Руге. - М: Наука, 1983. - 360 c.
15. Болтакс, Б. И. Глубокие центри в GAAS, связание ссобственними структурними дефектами [Текст] / Б. И. Болтакс, М. Н. Колотов, Е. А. Скоретина // Известия вузов. Физика. - 1983. - Т. 26, № 10.
16. Афанасєв В. А. Оборудование для импульсной термообработки полупроводникових материалов [Текст] / В. А. Афанасєв, М. П. Духвський, Г. А. Красов. - Електроника СВЧ, 1984. - С. 56-58.
17. Окамото, Т. Устройства ионной имплантации [Текст] / Т. Окамото. - Саймицу кикай, 1985. - С. 1322-1325.
Розроблено модель та досліджено вплив перехідної області з неоднорідним розподілом показника заломлення на спектральні характеристики вузькосмугових фільтрів в залежності від кута та поляризації. Наведено основні залежності зміни параметрів спектрів пропускання багатошарових інтерференційних структур вузькосмугових оптичних фільтрів при наявності перехідної області
Разработана модель и исследовано влияние переходной области с неоднородным распределением показателя преломления на спектральные характеристики узкополосных фильтров в зависимости от угла та поляризации. Приведены основные зависимости изменения параметров спектров пропускания многослойных интерференционных структур узкополосных оптических фильтров при наличии переходной области
МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ НЕОДНОРІДНОСТЕЙ НА СПЕКТРАЛЬНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВУЗЬКОСМУГОВИХ ОПТИЧНИХ ФІЛЬТРІВ
В . І . П е ц к о Аспірант
Кафедра кібернетики та прикладної математики*
Е-mail: petsko.vi@gmail.com О . В . М і ц а Кандидат технічних наук, доцент Кафедра інформаційних управляючих систем і технологій* Е-mail: alex.mitsa@gmail.com
*Ужгородський національний університет вул. Университетська, 14, м. Ужгород, Україна, 88000
1. Вступ
Синтез багатошарових оптичних систем за останні роки набув чималого розвитку, успіхи цих досліджень впливають як на розвиток оптики, так і інших галузей науки та техніки. Тепер отримують інтерференційні фільтри будь-якого типу для всього оптичного діапазону з заданими спектральними характеристиками [1, 2]. Одним із найактуальніших завдань в оптичному приладобудуванні є створення вузькосмугових філь-
15 ? В. I Пецко, О. В. Міца, 2014
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
