Дослідження поверхні наноструктурованих матеріалів. Аналіз результатів структурних досліджень шарувато-ланцюжкових напівпровідникових кристалів In4Se3 методом Х-променевої дифрактометрії та їх поверхонь сколювання методом дифракції повільних електронів.
При низкой оригинальности работы "Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
?????????????????????????????????? ?????????? (100) ????????? ??????????????????????????? In4Se3The paper presents the results of structural investigations of In4Se3 layered chainlike semiconductor crystals by X-ray diffraction and their (100) cleavage surfaces studies by low energy electron diffraction (LEED). The constants of two-dimensional lattice on (100) cleavage plane surfaces of orthorhombic layered In4Se3 crystals were evaluated with application of diffraction patterns. The interface microscopy and spectroscopy on the cleavage surfaces of the In4Se3 pure and copper intercalated layered crystals // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. Structural and energy changes at the cleavage surfaces of In4Se3 layered crystals under interface formation // Functional Materials. Atomic force microscopy study of the cleavage surfaces of In4Se3 layered semiconductor crystal // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
