Дослідження електрокінетичних та магнітних характеристик напівпровідникового твердого розчину Zr1-xTmxNiSn у концентраційному та температурному діапазонах. Аналіз механізмів їх провідності та використання для виготовлення елементів термоперетворювачів.
Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови використання матеріалу для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів. % зайнята атомами Ni (3d84s2), що генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи і пояснює механізм “апріорного легування” донорною домішкою, а напівпровідник стає сильнолегованим та сильнокомпенсованим [4]. У праці [5] виявлено, що введення у структуру ZRNISN атомів рідкісноземельного металу Tm заміщенням атомів Zr генерує у кристалі структурні дефекти акцепторної природи. Наприклад, якщо додавання у n-ZRNISN мінімальної кількості атомів Тм, які, займаючи позиції атомів Zr, генерують у кристалі структурні дефекти акцепторної природи, призводить до появи вільних дірок, то такий процес повинен супроводжуватися збільшенням значень питомого електроопору ?(х).
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
