Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.
Министерство Высшего и Среднего Специального Образования Республики УзбекистанЗдесь 1 - исходная подложка кремния имеющая р - тип проводимости, 2 - область коллектора имеющая n - тип проводимости, 3 - область базы, имеющая р - тип проводимости, 4 - область эмиттера, n - типа проводимости, 5 - защитная пленка из диоксида кремния, 6 - металлические выводы эмиттера , базы и коллектора, 7 - n область коллектора. На рисунке 1.2. показан элемент интегральной схемы, содержащий два транзистора, изолированных при помощи p - n перехода. На рисунке 1.3. показана структура интегрального n-p-n транзистора со скрытым n - слоем, изготовленным при помощи разделительной диффузии в эпитаксиальный слой. Рис.1.3 Интегральный n-p-n транзистор со скрытым n слоем. Здесь 1-исходная подложка полупроводникового кремния p - типа проводимости, диффузионная область n - типа, 3 - металлизация коллектора, имеющего n - тип проводимости, 4-металлизация эмиттера, имеющего проводимость n - типа, 5-металлизация базы, имеющей проводимость p - типа.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
