Расчет контактной разности потенциалов для р-n перехода. Вычисление сопротивления полупроводникового диода постоянному току. Балластное сопротивление и изменение напряжения источника питания. Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона.
АЛМАТИНСКИЙ ИНСТИТУТ ЭНЕРГЕТИКИ И СВЯЗИ Кафедра электроники и компьютерных технологий Расчетно-графическая работа №1 по электронике Выполнил: ст. гр. БАУ-11-6 Курбатова А.С. Принял: Доцент Жолшараева Т.М Алматы, 2012 Задача №1 Найти контактную разность потенциалов для р-n перехода при температуре Т=28оС, концентрация донорной примеси составляет Na=6•1018атом/см3, акцепторной примеси - Nд=5• 1016 атом/см3, собственная концентрация носителей в полупроводнике - ni=5• 1014 Решение: воспользуемся соотношением , где - температурный потенциал электрона; NА и NД - концентрация акцепторной и донорной примесей соответственно; ni - собственная концентрация. Тогда 0,3631 В Задача №2 Определить сопротивление полупроводникового диода постоянному току и его дифференциальное сопротивление при прямом напряжении Uпр. Решение: 1.найдем ток диода при прямом напряжении Uпр=150 мВ по формуле: , где В = А= 0,7919195 мА 2.Сопротивление диода постоянному току Ом 3.Дифференцальное сопротивление найдем, решая 1.1 относительно U и дифференцируя его: Полагая, что при Uпр=200 В , можно записать Ом Задача №3 Полупроводниковый диод имеет прямой ток Iпр=0,6 А при прямом напряжении Uпр=0,4 В. и температуре Т=40 оС.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
