Идея создания и применения оптронов. Физические основы оптронной техники. Измерения оптоэлектронными многоканальными системами. Изготовление подложек из монокристаллов Bi12GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. Структура германата висмута.
м в B12GeO20 0,1 масс % Al2O3 (рис. 1.6.1.) Рис.1.6.1 Зависимость полуволнового напряжения U от длины волны для легированного силликосилленита: Bi12SiO20; Bi12SiO20 - Al; Bi12SiO20 - Ga; Bi12SiO20 - Ca; Bi12SiO20 - Sr; Bi12GeO20. Такое легирование даёт возможность увеличения максимальной допустимой рабочей длины от 160 мкм для Bi12GeO20 до 3,2 мм для Bi12GeO20 -0,1 масс. % Al2O3 (при работе на длине волны 420 нм), а при записи голограмм на l = 514,5 нм она составит уже 10 мм[55]. Фотопроводность определяет возможность использования силленитов в устройствах записи оптической информации - пространственно-временных модуляторах света (ПВМС). Увеличение фоточувствительности за счёт легирования кристалла позволяет увеличить чувствительность таких устройств, если оно не вызывает увеличения темновой проводимости, уменьшающей время хранения записанной информации. Однако, в электрооптических лампах, управляемых электронным лучом [56] благоприятным условием использования силленитов является подавление фотопроводимости.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
