Оптимизация процесса напыления материала в магнетронной системе распыления - Контрольная работа

бесплатно 0
4.5 141
Метод магнетронного распыления материалов. Элементы магнетронной системы и её схема. Скорость распыления материала при ионной бомбардировке и влияющие на неё факторы. Теория Зигмунда и расчёт коэффициента распыления. Модель кольцевого испарителя.


Аннотация к работе
Задание Оптимизировать процесс напыления материала в магнетронной системе распыления: определить расстояние от поверхности мишени, на котором можно получить заданную толщину напыляемой пленки с требуемой неравномерностью при максимально возможной скорости напыления. Вариант задания № варианта Материал Толщина пленки, мкм Диаметр пластины, мм Неравно-мерность, ± % Радиус распыления, см Ток разряда, А 4 Cu 0,3 100 3 6,5 7 Примечание: 1. Высокая скорость распыления материала в магнетронной системе распыления определяется высокой плотностью ионного тока на мишень.
Заказать написание новой работы



Дисциплины научных работ



Хотите, перезвоним вам?