Метод магнетронного распыления материалов. Элементы магнетронной системы и её схема. Скорость распыления материала при ионной бомбардировке и влияющие на неё факторы. Теория Зигмунда и расчёт коэффициента распыления. Модель кольцевого испарителя.
При низкой оригинальности работы "Оптимизация процесса напыления материала в магнетронной системе распыления", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Задание Оптимизировать процесс напыления материала в магнетронной системе распыления: определить расстояние от поверхности мишени, на котором можно получить заданную толщину напыляемой пленки с требуемой неравномерностью при максимально возможной скорости напыления. Вариант задания № варианта Материал Толщина пленки, мкм Диаметр пластины, мм Неравно-мерность, ± % Радиус распыления, см Ток разряда, А 4 Cu 0,3 100 3 6,5 7 Примечание: 1. Высокая скорость распыления материала в магнетронной системе распыления определяется высокой плотностью ионного тока на мишень.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
