Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.
При низкой оригинальности работы "Оптимізація технологічних процесів росту арсеніду галію зі заданими властивостями", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Літературний огляд вирощування монокристалів сполук методом Чохральського 1. Властивості монокристалу 1.1 Кристалографічні властивості … 1.2 Фізико-хімічні властивості сполук 1.3 Електро-фізичні властивості 1.3.1 Деякі властивості сполук 1.4 Оптичні властивості 1.5 Застосування Арсеніду Галію (GaAs) 1.5.1 Методи отримання Арсеніду Галію (GaAs) 1.5.2 Фізичні властивості Арсеніду Галію (GaAs) 1.6 Застосування Фосфіду Галію 1.6.1 Методи отримання Фосфіду Галію 1.6.2 Фізичні властивості Фосфіду Галію 2.Метод Чохральського 2.1Технологічні умови вирощування монокристалів ІІ. Розрахунок розподілу компонентів по довжині зливка 2.1 Теоретичний розрахунок виходу придатного матеріалу Висновок Список використаної літератури напівпровідниковий кристал кристалографічний Вступ До напівпровідників відносяться речовини, що займають по величині питомої електричної провідності проміжне положення між металами і діелектриками. Актуальність застосування кристалів, особливо напівпровідникових, в сучасній твердотілій електроніці обумовлюється їхніми властивостями, зокрема, термодинамічними та кінетичними. Дослідження спрямовані на зясування природи різних властивостей кристалів відносяться до важливих задач електроніки, оскільки знання природи цих властивостей дає можливість впливати на них і одержувати кристали із наперед заданими властивостями, яких вимагає сучасне виробництво.GaAsP має напівпровідникові властивості і з цим повязано його основне застосування. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Зі збільшенням елемента 5 групи спостерігається поступовий перехід від конгруентного плавлення, характерного, наприклад, для InSb до інконруентного (GaP). В сполуках цього типу на рівні з переважаючим ковалентним характером зв’язку існує деяка доля іонності, а з її ростом збільшується асиметрія електронної хмари і її локалізації у вузлах аніоноутворювача. Рис. 1.4 Залежність ширини забороненої зони сполуки від сумарного атомного номера компонентів Рис. 1.5 Взаємозв’язок між температурою плавлення сполуки і сумарним атомним номером. Рис. 1.6 Залежність ширини забороненої зони напівпровідників від температури плавлення сполук.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
