Моделі для реалізації методу математичного планування і оптимізації багатофакторного експерименту у способі вирощування тонких плівок з парової фази методом гарячої стінки. Експериментальні дослідження структури і електричних властивостей тонких плівок.
При низкой оригинальности работы "Оптимізація технології і моделювання фізичних процесів у тонких плівках АIVBVI та структурах на їх основі", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Можливість плавної зміни ширини забороненої зони у напівпровідниках AIVBVI та їх твердих розчинах від температури, тиску, магнітного поля і складу обумовлюють перспективність цих матеріалів для створення фотоприймачів і лазерів у довгохвильовій області інфрачервоного спектру, а також термоелектричних пристроїв. Так, зокрема, на час постановки задачі даної роботи (80-ті роки) залишались не вивченими питання комплексних досліджень впливу технологічних операційних факторів вирощування плівок з парової фази методом гарячої стінки (температури випаровування ТВ, осадження ТП, стінок камери ТС; парціальний тиск компонентів у зоні конденсації) на фізичні властивості тонкоплівкового матеріалу. Мета і задачі дослідження полягають у вивченні впливу технологічних операційних факторів та хімічного складу на властивості плівок халькогенідів свинцю, твердих розчинів на їх основі; фізичному моделюванні процесів формування дефектної підсистеми в тонкоплівковому матеріалі при вирощуванні з парової фази, радіаційному опроміненні та розрахунку параметрів діодних структур. При цьому були поставлені такі задачі: - розробити теоретичні моделі для реалізації методу математичного планування і оптимізації багатофакторного експерименту у способі вирощування тонких плівок з парової фази методом гарячої стінки; Обєктом дисертаційного дослідження були епітаксійні та полікристалічні плівки монохалькогенідів свинцю, телуриду олова та твердих розчинів на їх основі PBSE1-XTEX, PBXSN1-XTE, (SNSE) 1-X (PBTE) X, (SNTE) 1-X (PBSE) X, вирощені із парової фази методом гарячої стінки і осаджені на сколи (111) монокристалів BAF2 та аморфну поліамідну стрічку типу ПМ-І; діодні структури на основі епітаксійних плівок p-PBSE.На основі вимірювань вольт-фарадних характеристик діодних структур Pb (ln)-p-PBSE-Sn встановлено існування інверсійного шару n-типу біля поверхні p-PBSE. Проведено теоретичний розрахунок вольт-фарадних характеристик діодів Шотткі Pb (ln)-p-PBSE~Sn з інверсійною n-областю для випадку двозонної моделі Кейна. Аналіз одержаного виразу дає можливість стверджувати, що величина напруги відсічки суттєво залежить від зонної структури (непараболічності зон). Крім того, напруга відсічки визначається густиною обємного заряду, значенням ефективної маси на краю зони провідності і температурою.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
