Дослідження оптичних властивостей кремнієвих, германієвих, квантових точок та вуглецевих кластерів в SiO2-матриці, прихованих шарів SiO2, SiC, SixGe1-x в кремнії, що формувалися за допомогою іонної імплантації та наступного високотемпературного відпалу.
При низкой оригинальности работы "Оптичні властивості кремнієвих, германієвих і вуглецевих наноструктур, одержаних імплантацією", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Фізика і технологія наноструктур, на основі прямозонних напівпровідників розвивалася послідовно від двомірних систем (квантових ям та надграток) до одномірних систем (квантових ниток) і нульмірних систем (квантових точок). Мова йде про тонкі приховані діелектричні SIO2 та напівпровідникові SIC та SIXGE1-x шари в кремнії, що використовуються для виробництва багатошарових інтегральних мікросхем. Структури з прихованим шаром SIC можуть бути використані як SOI-структури (silicon-on-insulator), що мають в певних умовах переваги перед традиційними структурами з SIO2-шарами. Мета дисертаційної роботи полягає в комплексному дослідженні оптичних та структурних властивостей наноструктур кремнію, германію та вуглецю, одержаних імплантацією відповідних іонів в SIO2-матриці та в кремнієві пластини і включає слідуючі конкретні задачі: Паралельне оптичне та радіоспектроскопічне дослідження формування нанокластерних структур кремнію, германію і вуглецю при імплантації відповідних іонів у SIO2-матрицю та встановлення домінуючих процесів випромінювання одержуваних структур. За допомогою оптичних методів дослідити вплив імплантованих атомів вуглецю на зародження та ріст прихованих SIO2-шарів в кремнії і вплив атомів кисню на іонно-променевий синтез прихованих SIC-шарів в кремнії.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
