Оптические свойства полупроводников. Механизмы поглощения света и его виды. Методы определения коэффициента поглощения. Пример расчета спектральной зависимости коэффициента поглощения селективно поглощающего покрытия в видимой и ИК части спектра.
При низкой оригинальности работы "Оптические свойства полупроводниковых пленок в видимой и ИК частях спектра", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Министерство образования Украины Национальный технический университет “Харьковский политехнический институт” Кафедра физического материаловедения для электроники и гелиоэнергетики (ФМЭГ) РЕФЕРАТ “Оптические свойства полупроводниковых пленок в видимой и ИК частях спектра” Исполнитель: студент группы ФТ-18б Карасёв С.Н. 2003 1. При этом электромагнитная волна не изменяет энергетический спектр носителей заряда (или решетки), а лишь создает новые пары электрон-дырка (или новые фононы) или вызывает перераспределение носителей заряда по состояниям. В таком случае говорят о линейном приближении: величина световой энергии, поглощаемой в образце, линейно связана с интенсивностью света. Мы получаем при этом (1.7) При ? = 0, т. е. в отсутствие поглощения, выражение (1.7) описывало бы плоскую волну, распространяющуюся с фазовой скоростью с/п и постоянной амплитудой.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
