Заходи вирощування градієнтних кристалів твердих розчинів Bi-Sb. Дослідження умов формування вісмут-сурма та щільності дислокацій у них. Підживлення розплаву твердою сурмою. Аналіз швидкості дислокацій і щільності витягування речовин монокристалів.
Вперше пропозиція застосування кристалів із градієнтом параметрів кристалічної решітки для фокусування рентгенівського і гамма-випромінювання була обґрунтована Р.К. Завдяки значній зміні параметрів кристалічної решітки у системі вісмут-сурма, що досягає =5,1%, ці сплави можуть бути використані для вирощування кристалів із заданим градієнтом параметрів решітки за довжиною злитка. Актуальність теми полягає в тому, що розробка нового способу вирощування градієнтних кристалів вісмут-сурма дозволить одержувати градієнтні кристали даних сплавів, що мають заданий розподіл компонентів за довжиною злитка та більш досконалу структуру, розширить можливості застосування методу Чохральського. Мета роботи полягала в розробці способу одержання та дослідженні умов вирощування градієнтних кристалів твердих розчинів вісмут-сурма, що мають градієнт параметрів кристалічної решітки до 1% по довжині злитка в 1 см. Предметом дослідження був процес вирощування градієнтних кристалів твердих розчинів вісмут-сурма методом Чохральського з підживленням розплаву твердою фазою.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
