Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.
Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называют эмиттерным, а между коллектором и базой - коллекторным. Толщина базы w в транзисторе значительно меньше диффузионной длины дырок, благодаря этому основная часть дырок, инжектируемых эмиттером, пролетает сквозь базу до коллекторного перехода. Индекс К указывает, что это собственный обратный ток коллекторного перехода, индекс Б означает, что транзистор включен по схеме с общей базой, индекс 0 указывает, что ток измеряется при разомкнутой цепи эмиттера (обрыв) *. Поскольку напряжение в цепи коллектора, включенного в обратном направлении, может быть значительно больше, чем в цепи эмиттера, включенного в прямом направлении, а токи в этих цепях практически равны, мощность, создаваемая переменной составляющей коллекторного тока в нагрузке R, может быть значительно больше мощности, затрачиваемой на управление током в цепи эмиттера, т. е. транзистор обладает усилительным эффектом. Транзисторы этого типа имеют сравнительно большое тепловое сопротивление (до 300°С/Вт), так как отвод тепла от коллекторного перехода у них происходит вдоль тонкой германиевой пластинки базы, имеющей малую теплопроводность.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
