Оборудование и методы осаждения вещества. Газофазная эпитаксия - процесс осаждения эпитаксиальных слоев из газовой фазы. Конструкция камер для газофазного наращивания. Достоинства метода эпитаксиального наращивания. Получение поликристаллического кремния.
При низкой оригинальности работы "Оборудование для диффузионных процессов, быстрого термического отжига", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Термин эпитаксия (стройся как я) означает ориентированное наращивание слоев вещества с воспроизведением кристаллической структуры подложки. Образующийся слой закономерно продолжает кристаллическую решетку подложки, если наращиваемый слой и подложка имеют одинаковый химический состав. Если эпитаксиальный слой и подложка состоят из разных материалов, постоянные решетки которых не совпадают, то такой процесс называют гетероэпитаксией. Процесс проводится в реакторе из кварцевого стекла, коррозионно-стойкой стали, хромоникелевых сплавов. Все вещества, поступающие в реактор, являются газами, поэтому и название - эпитаксия из газовой фазы или химическое осаждение из газовой фазы.Формирование слоев поликристаллического кремния производится путем термического разложения силана, происходящее при температуре 620-650°С при нормальном давлении при разбавлении силанаазотом или аргоном или при пониженном давлении до 133 Па при использовании 100%-го силана. При температуре 600°С зерна поликристаллического кремния имеют размер до 20 нм при ориентации (110), при температуре 570°С размер зерен - 10 нм и образуется аморфная фаза. Однако, термообработка полученного слоя (отжиг при температуре 900-1000°С) формирует слой столбчатого кремния с размерами зерен больше 80 нм и кристаллической ориентации (110).Наиболее распространенный метод получения оксида кремния - газофазная эпитаксия, при которой происходит газофазная химическая реакция силана и кислорода, протекающая при температуре 500°С. Этот метод используется в технологии производства ИС даже при формировании алюминиевой разводки. На скорость наращивания Si2 большое влияние оказывает давление O2, так как адсорбция молекул кислорода на поверхности подложки задерживает химическую реакцию. В слоях оксида кремния, выращенных при низкой температуре, содержится водород: (Si-OH, Si-H, H2O). Поэтому его используют в основном для нанесения SIO2 - слоя поверх кремния или поликремния с целью сглаживания ступенек и канавок на поверхности подложки.
План
Содержание
1. Оборудование и методы осаждения вещества
1.1 Осаждение вещества из газовой фазы
1.1.1 Газофазная эпитаксия
1.1.2 Получение поликристаллического кремния
1.1.3 Получение оксида и нитрида кремния
1. Оборудование и методы осаждения вещества
1.1 Осаждение вещества из газовой фазы
1.1.1 Газофазная эпитаксия
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
