Фiзичнi механізми функціонування інтегральних транзисторних i дiодних структур. Розрахунок i оптимiзацiя топології біполярних транзисторів з бар"єром Шотткi. Схема формувача потужних наносекундних iмпульсiв. Застосування товстоплiвкових резисторів.
Розробка фізико-технологічних, схемотехнічних i конструктивно-технологічних основ створення напівпровідникових ІС ФПНСІ (імпульсних модуляторів) на нових потужних швидкодіючих напівпровідникових елементах (інтегральних біполярних n-p-n транзисторах, МДН транзисторах i діодах з барєром Шотткі) та розробка на цій базі ряду малогабаритних ГІМ імпульсних модуляторів, підвищеної потужності, для генераторів сучасних бортових спеціалізованих РЕС ММДХ при їх експлуатації в жорстких умовах підвищеної дії кліматичних i механічних чинників, i які могли б застосовуватися в інших областях техніки діапазону КВЧ (30...300 ГГЦ). Проведення комплексного аналізу існуючої елементної бази i цілого ряду теоретичних i експериментальних досліджень для створення фізико-технологічних та конструктивно-технологічних основ по розробці i виготовленню нових потужних, швидкодіючих імпульсних інтегральних біполярних n-p-n транзисторів, МДН транзисторів i діодів з барєром Шотткі, які характеризуються робочими напругами не менше 50 В, струмом - до 1 Розробка методики розрахунку оптимальної конструкції ударостійких резисторів i проведення експериментальних досліджень впливу конструктивно-технологічних і експлуатаційних чинників на ударну стійкість, структуру і фазовий склад товстоплівкових резисторів на основі срібло-паладієвих, рутенієвих і боридних паст, що широко застосовуються і серійно виготовляються, для обґрунтування їх застосування в ГІМ імпульсних модуляторів підвищеної потужності ударостійких РЕС. Сукупність результатів досліджень, наведених в даній дисертаційній роботі, є новий напрямок розвитку пристроїв радіотехніки, імпульсних модуляторів на новій твердо тільній інтегральній основі - створення ІС-формувачів потужних наносекундних імпульсів трапецеїдальної форми з довільно регульованим нахилом вершини импульса і на їх базі малогабаритних гібридно-інтегральних модулів імпульсних модуляторів підвищеної потужності сучасних бортових РЕС ММДХ, що працюють в жорстких умовах експлуатації, наукова новизна яких полягає в тому, що вперше: 1. Розроблена конструкція потужного швидкодіючого горизонтального МДН транзистора дозволила вперше реалізувати в складі твердотільної ІС каскади на доповнювальних по типу провідності транзисторах i цим самим створити інтегральні неінвертовані підсилювачі потужних наносекундних імпульсів (Рімп і 10 Вт);Розроблено фізико-технічні, схемотехнічні та конструктивно-технологічні основи, які дозволили вперше на практиці вирішити проблему створення спеціальних напівпровідникових ІС формувачів потужних наносекундних імпульсів трапеціідальної форми з довільно регульованим нахилом вершини імпульса (Рімп = 10...30 Вт; тфр,тсп, Ј 10 нс; діапазон регулювання імпульса ± 50%). На їх основі вирішено проблему розробки, по перспективній комбінованій гібридній i інтегральній технології, малогабаритних ГІМ імпульсних модуляторів підвищенної потужності (отримання імпульсів струму з амплітудами 1...15 А) для модуляції радіоімпульсних сигналів генераторів ММДХ спеціалізованих РЕС різноманітного транспортного бортового базування, що працюють в жорстких умовах експлуатації, а також можуть широко застосовуватися в лазерний i медичній техніці, пристроях магнітоелектроніки i інших галузях. Розроблено і виготовлено основні елементи ІС: імпульсні інтегральні n-p-n транзистори, МДН транзистори з індукованим р-каналом, діоди з барєром Шотткі, які характеризуються робочою напругою не менше 50 В, струмом - до 1 А, часом перехідних процесів - не більше 10 нс. Отримана залежність спаду напруги на опорі колектора потужного імпульсного інтегрального біполярного транзистора від величини робочого струму, параметрів структури i топології транзистора, забезпечила можливість визначення ВАХ транзистора при переході до режиму омічного квазінасичення. 3.3 Вперше отримано ряд аналітичних залежностей, які покладені в основу розробки методики, програми розрахунків i оптимізації топології потужних імпульсних інтегральних біполярних транзисторів, що працюють в активному режимі i дозволяють вирішити проблему визначення конструкції i геометричних розмірів структури транзисторів, які характеризуються мінімальними значеннями барєрних ємностей i залишкової напруги на опорі колектора.
Вывод
1. Розроблено фізико-технічні, схемотехнічні та конструктивно-технологічні основи, які дозволили вперше на практиці вирішити проблему створення спеціальних напівпровідникових ІС формувачів потужних наносекундних імпульсів трапеціідальної форми з довільно регульованим нахилом вершини імпульса (Рімп = 10...30 Вт; тфр,тсп, Ј 10 нс; діапазон регулювання імпульса ± 50%). На їх основі вирішено проблему розробки, по перспективній комбінованій гібридній i інтегральній технології, малогабаритних ГІМ імпульсних модуляторів підвищенної потужності (отримання імпульсів струму з амплітудами 1...15 А) для модуляції радіоімпульсних сигналів генераторів ММДХ спеціалізованих РЕС різноманітного транспортного бортового базування, що працюють в жорстких умовах експлуатації, а також можуть широко застосовуватися в лазерний i медичній техніці, пристроях магнітоелектроніки i інших галузях.
2. Визначено вимоги до елементної бази напівпровідникових ІС формувачів потужних наносекундних імпульсів. На основі комплексного вирішення проблем отримання доповнювальних по типу провідності транзисторних структур i забезпечення їх швидкодії обгрунтовано необхідність відмови від широко використовуваного методу введення в структуру додаткових центрів рекомбінації неосновних носіїв. Розроблено і виготовлено основні елементи ІС: імпульсні інтегральні n-p-n транзистори, МДН транзистори з індукованим р-каналом, діоди з барєром Шотткі, які характеризуються робочою напругою не менше 50 В, струмом - до 1 А, часом перехідних процесів - не більше 10 нс.
3. Досліджено фізичні механізми функціонування i розроблені нові структури потужних імпульсних інтегральних біполярних транзисторів (А.с.1748581).
3.1 Запропоновано математичну модель, що адекватно описує режим переходу в область омічного квазінасичення в колекторі потужних інтегральних біполярних транзисторів, особливістю яких є нерівномірність розподіленого опору області колектора, i яка суттєво визначає їх високочастотні i імпульсні характеристики. Розроблена модель являє собою транзисторну структуру в тривимірному просторі з врахуванням ефектів витиснення струму до периферії емітерів, перерозподілу емітерного струму на зустрічно-штирьових областях транзистора, нерівномірного розподілу струму в області колектора.
3.2 Розроблено алгоритм i програму для розрахунку залежності спаду напруги на колекторі i периметра емітера інтегрального біполярного транзистора. Отримана залежність спаду напруги на опорі колектора потужного імпульсного інтегрального біполярного транзистора від величини робочого струму, параметрів структури i топології транзистора, забезпечила можливість визначення ВАХ транзистора при переході до режиму омічного квазінасичення. Виявлено нелінійність спаду напруги на опорі не модульованого тіла колектора інтегрального транзистора, яка викликана перерозподілом густини струму у зустрічно-штирьовій структурі.
3.3 Вперше отримано ряд аналітичних залежностей, які покладені в основу розробки методики, програми розрахунків i оптимізації топології потужних імпульсних інтегральних біполярних транзисторів, що працюють в активному режимі i дозволяють вирішити проблему визначення конструкції i геометричних розмірів структури транзисторів, які характеризуються мінімальними значеннями барєрних ємностей i залишкової напруги на опорі колектора. При цьому спостерігається добра кореляція розрахункових значень з експериментальними даними.
3.4 Розроблено i досліджено методи фіксації режиму роботи потужних інтегральних біполярних транзисторів. Запропоновано нові конструктивні рішення для транзистора з емітерним переходом, який зашунтований сформованою в епітаксіальному шарі колектора областю з протилежним до епітаксіального шару типом провідності i інтегрального польового n-канального транзистора з управляючим p-n переходом (А.с.1452409). Встановлено, що в більшості випадків визначальним фактором у виборі методу є можливість його реалізації в складі ІС, відтворювальність параметрів схеми, її технологічність.
3.5 За результатами досліджень розроблено програмно-методичний комплекс (ПМК) автоматизації розрахунку, оптимізації i проектування конструкції біполярного транзистора інтегральної схеми з застосуванням мови програмування "Turbo-Pascal" i ПМК машинного проектування топології "Graph Lays Editor" на персональних компютерах типу IBM PC/AT.
4. Створено інтегральну імпульсну комплементарну пару потужних транзисторів. Вперше показано, що в складі напівпровідникових ІС горизонтальний МДН транзистор з індукованим р-каналом є найоптимальнішим, як елемент, який доповнює по типу провідності потужні імпульсні n-p-n транзистори. Розроблена нова конструкція високовольтного горизонтального МДН транзистора, в якому підвищено напругу пробою стоку за рахунок введення в область каналу роздільної області, протилежного до підкладки типу провідності (А.с.1660535), що дозволило створити потужні швидкодіючі неінвертовані підсилювачі.
5. Досліджено фізичні механізми функціонування i створені потужні інтегральні імпульсні діоди. Показано, що застосування діодів з барєром Шотткі в складі потужних напівпровідникових ІС обмежене ефектом перерозподілу густини струму, i як наслідок цього, зменшенням активної площі барєрного контакту, пониженням швидкодії.
5.1 Розроблено математичну модель потужного інтегрального діоду з барєром Шотткі, яка враховує ефекти повязані з інжекцією неосновних носіїв заряду i описує режим переходу до високого рівня інжекції. Отримано аналітичну залежність, яка визначає максимальну густину струму i закон розподілу густини струму в структурі при високому рівні інжекції i нагромадженню неосновних носіїв заряду. В діапазоні Jm@(1...10) J0 розрахункова залежність розподілу густини струму добре підтверджується результатами експериментальних досліджень.
5.2 На основі вперше отриманих аналітичних виразів, розроблено методику, програми розрахунків i оптимізації площі випрямляльного контакту метал-напівпровідник потужних інтегральних діодів Шотткі, що працюють в режимі великих шпаруватостей коротких імпульсів при незначному тепловиділенні. Наведено залежності, які визначають оптимальні розміри структури інтегральних діодів Шотткі різних конструкцій. Оптимізація дозволяє провести вибір конструкції i визначити геометричні розміри структури діодів, що характеризуються при заданій величині робочого струму мінімальними значеннями ємнісної складової перехідного процесу перемикання.
6. Вперше запропоновано метод роздільного формування фронту i спаду імпульса, що забезпечує можливість створення потужного неінвертованого підсилювача-обмежувача, який є основним вузлом розробленої напівпровідникової ІС-формувача i який забезпечує високу швидкодію, стабільність, а також можливість роботи на навантаження з нагромадженням заряду.
7. Вперше вирішено проблему твердотільної інтеграції гібридно-інтегральних модулів (ГІМ) імпульсних модуляторів для генераторів РЕС ММДХ. Розроблені конструкції і промислова технологія виготовлення кристалів ІС-формувача і ГІМ на їх основі (А.с.318664, А.с.320493) дозволили значно покращити їх технічні характеристики, підвищити надійність i технологічність, зменшити габаритно-вагові показники ГІМ в 3...5 разів, розширити область застосування і забезпечити експлуатацію в умовах підвищеної дії кліматичних і механічних чинників. А в складі кристалу розробленої ІС-управління ГІМ створено інтегральне багатофункціональне джерело опорної напруги, що дозволило розширити універсальність інтегральних вторинних джерел живлення.
8. На основі теоретичних та експериментальних досліджень вперше обґрунтовано застосовування товстоплівкових резисторів, які виготовлені із срібло-паладієвих (серія 4000), рутенієвих (серія 4400) i боридних (серія 0800) паст, що широко застосовуються і серійно виготовляються, в ГІМ імпульсних модуляторів підвищеної потужності ударостійких РЕС.
8.1 Розроблено методику визначення коефіцієнта тензочутливості матеріалу резисторів і наведено розрахунок оптимальної конструкції ударостійкого резистора. Вперше досліджено вплив конструктивно-технологічних факторів (матеріалу резистивних паст, питомого поверхневого опору, коефіцієнта форми і площі резистора, напрямку деформаційної дії, матеріалу підкладки, наявності підгонки) на ударну стійкість товсто плівкових резисторів. Виявлено високу ударну стійкість досліджених товсто плівкових резисторів, окрім високоомних срібло-паладієвих. Встановлено, що опір резисторів на основі срібло-паладієвих паст номіналом вище 20 КОМ/кв. збільшується в дослідженому діапазоні ударних дій, при цьому чим вищий номінал пасти, тим більша зміна опору резистора, тому вказані пасти не рекомендуються для застосування в ударостійкій апаратурі.
8.2 Вперше досліджено вплив газового середовища, що заповнює корпус ГІМ, на структуру i фазовий склад товстоплівкових резисторів на основі Ag-Pd. Встановлено причину низької стабільності резисторів (зменшення номіналів до 90%) в середовищі аргону, в якому виявлено вільний водень, який відновлює PDO до Pd, що приводить до зменшення номіналів резисторів і високу стабільність (в середньому - до 2%) в атмосфері осушеного повітря. Осушене повітря рекомендується для заповнення корпусів ГІМ в процесі виробництва.
8.3 Досліджено характер зміни номіналів резисторів i визначено залежність DR/R=f(Т) при 2-о i 3-и кратних повторних впалюваннях для всіх типів резистивних паст на основі рутенію. Характер залежності має яскраво виражену відємну область зміни. Застосування повторного впалювання при необхідній температурі дозволяє коректувати питомий поверхневий опір резистивної плівки "в мінус" на 50...80% i "в плюс" на 5...30%. Отримані результати використані в процесі виробництва товстоплівкових мікроплат для групової підгонки в сторону зменшення номіналів рутенієвих резисторів. Встановлено, що зміна номіналів рутенієвих резисторів, які пройшли повторне впалювання складає не більше 0,6% після дії дестабілізуючих факторів - пятикратне термоциклювання при температурах від мінус 60°С до 85°С i зберігання при температурі 70°С.
8.4 Розроблено технологічний процес виготовлення товстоплівкових резисторів на основі боридних паст на діелектричних шарах із пасти 3014. Встановлено, що для забезпечення знаходження резисторів в експлуатаційному допуску ±10% достатнім є виробничий допуск ±8%. Це дозволило збільшити ступінь інтеграції ГІМ, зменшити їх габарити i вагу.
9. Для серійного багато номенклатурного виробництва мікро плат ГІМ розроблені і рекомендовані: - електрохімічний метод і пристрій для підгонки резисторів на основі срібло-паладієвих паст в сторону зменшення їх номіналів, що дозволило збільшити вихід придатних на 20...30%;
- метод повторного впалювання рутенієвих резисторів для коректування їх номіналів в сторону зменшення, що дозволило збільшити вихід придатних на 10...20%;
- лазерний метод підгонки резисторів на основі срібло-паладієвих, рутенієвих і боридних паст в сторону збільшення номіналів. Запропоновано нову методику юстування вимірювальних зондів i лазерного променя автоматизованої установки типу "Гибрид-009", що підвищило продуктивність праці в 2,7 рази.
10. Для підвищення виходу придатних, продуктивності i точності виготовлення, стабільності параметрів гібридних інтегральних радіоелектронних пристроїв та забезпечення їх працездатності в жорстких умовах експлуатації запропоновано новий спосіб вибіркового вимірювання опору мікроконтактного зєднання монтажного дроту i плівкової контактної площинки, що підвищує якість i надійність мікроконтактів ГІМ (А.с.1492309). Розроблено нові матеріали (А.с.302312, А.с.1145827), способи виготовлення структур, елементів мікросхем (А.с.1545842, А.с.287444) i мікрозборок (А.с.289850).
11. Для підвищення надійності вирішена задача збільшення міцності конструкції ГІМ для умов високих динамічних дій i циклічних змін температури. Встановлено, що найсуттєвіше впливає на міцність зєднання корпус-кришка ГІМ товщина шару припою в зазорі між зєднуваними деталями. Коефіцієнт запасу міцності паяного шва зростає в першому наближенні пропорційно квадрату товщини шару припою. Дано рекомендації по вибору коефіцієнта міцності (не менше 10), матеріалу кришки корпусу ГІМ та ін. А для підвищення ступені електромагнітної сумісності ГІМ запропоновано нову конструкцію фільтра кола живлення i управління.
12. З метою удосконалення методів комплексної автоматизації розробки i випуску конструкторської документації (КД) МЕА, запропоновано новий принцип конструювання i розроблено методику автоматизованого проектування КД механічних деталей i вузлів конструкцій ГІМ, які складають основу складних сучасних транспортних РЕС спеціального призначення, на базі бібліотек типових конструкторсько-технологічних рішень (КТР). В основу даної методики закладено принцип роботи конструктора з типовими КТР, вибір яких складає суть процесу конструювання.
13. Розроблені методика автоматизованого проектування КД ГІМ на основі бібліотек типових КТР, математичні моделі розмірних сіток, методика i алгоритми розташування розмірів на кресленнях КД реалізовані в програмно-методичному комплексі (ПМК) наскрізного автоматизованого проектування гібридно-інтегральних НВЧ модулів "РАПИРА-4МС", який дозволяє скоротити обсяг КД i терміни її розробки в 2,7...3,1 рази. ПМК знаходиться в промисловий експлуатації у Львівському НДРТІ i на інших підприємствах галузі. Результати впроваджено в галузевих стандартах ОСТ 4ГО.010.224 і ОСТ 4ГО.073.208.
Список литературы
1. Готра З.Ю., Мушкарден Э.М., Смеркло Л.М. Технологические основы гибридных интегральных схем. - Львов:Изд.при ЛГУ. Вища школа. -1977. -168с.
2. Готра З.Ю., Григорьев В.В., Смеркло Л.М., Эйдельнант В.М. Сквозное автоматизированное проектирование микроэлектронной аппаратуры. - М.: Радио и связь. - 1989. - 280с.
4. Голяка Р.Л., Смеркло Л.М. Исследование режима перехода к омическому квазинасыщению в коллекторе мощного интегрального биполярного транзистора // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер.Общие вопросы радиоэлектроники. - М.:НИИЭИР. -1991. - Вып.22. - с. 42-46.
5. Смеркло Л.М. Розробка метаматичної моделі потужного інтегрального біполярного транзистора, що описує режим переходу в область квазінасичення // Вісник Прикарп. унів. Сер. природн.-математ. науки. -Івано-Франківськ: "Плай". - 1996. - Вип.2. - с. 52-159.
6. Голяка Р.Л., Смеркло Л.М. Оптимизация топологии мощного интегрального импульсного транзистора // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Общие вопросы радиоэлектроники. - М.:НИИЭИР. - 1991. - Вып.22. - с. 47-51.
7. Смеркло Л.М. Моделювання та оптимізація структури потужного інтегрального імпульсного транзистора // Журнал фізичних досліджень. - Львів:ЛДУ. - 1998. -т.2. - № 4. - с. 586-592.
8. Смеркло Л.М. Методи фіксаціі режиму роботи потужних інтегральних біполярних транзисторів // Вісник Державного університету "Львівська політехніка". Сер. Теорія i проектування напівпровідникових та радіоелектронних пристроїв. - Львів:ДУ "ЛП". - 1998. - №343. - с. 183-189.
10. Готра З.Ю., Голяка Р.Л., Смеркло Л.М. Исследование распределения плотности тока в интегральной диодной структуре с барьером Шоттки при высоком уровне инжекции // Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства. - М.:ЦНИИ "Электроника". - 1990. - Вып.6. - с. 40-42.
19. Смеркло Л.М., Владимирова Т.П. Гібридно-інтегральні джерела потужних наносекундних імпульсів для техніки міліметрового діапазону хвиль // Вісник Прик. універ. Сер. природн.-математ. науки. - Івано-Франківськ: Плай. - 1995. - Вип.1. - с. 132-139.
20. Смеркло Л.М. Импульсные модуляторы для генераторов диапазона КВЧ // Радиоэлектроника. Известия высших учебных заведений. - Киев: НТУУ "КПИ". - 1998. - том 41. - №4. - с. 20-27.
21. Готра З.Ю., Смеркло Л.М., Баранова Н.В., Сенишин Я.М., Волохин С.А. Фазовый состав и стабильность толстопленочных резисторов на основе системы серебро-палладий // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Общие вопросы радиоэлектроники. - М.: НИИЭИР. - 1991. - Вып. 20. - с. 36-41.
22. Смеркло Л.М., Дячок Д.Т. Подготовка процесса лазерной подгонки толстопленочных резисторов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - Одесса: АО "Нептун". - 1997. - № 4. - с. 53-54.
23. Смеркло Л.М., Сенишин Я.М. Опыт конструирования и изготовления многоуровневых коммутационных плат // Специальная радиоэлектроника. - М.: НИИЭИР. - 1986. - Вып. 5. - с. 35-37.
24. Смеркло Л.М., Левина И.Н. Соединение стержня гермоперехода с микрополосковой линией // Специальная радиоэлектроника. - М.: НИИЭИР. - 1989. - Вып. 1. - с. 52-53.
25. Федоров А.В., Смеркло Л.М., Наволокин С.Н. Левицкий Д.И. Герметизация корпусов микросхем лазерной сваркой // Обмен опытом в радиопромышленности. - М.: НИИЭИР. - 1980. - Вып. 2. - с. 13-14.
26. Смеркло Л.М., Падалка Г.И., Фатуев П.К. Увеличение механической прочности паяного соединения корпус-крышка микросборки // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Общие вопросы радиоэлектроники. - М.: НИИЭИР. - 1986. - Вып. 15. - с. 136-139.
27. Смеркло Л.М., Николаев В.В., Падалка Г.И. Конструкция фильтра цепей питания и управления для СВЧ-микросборок // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. - М.: НИИЭИР. - 1986. -Вып. 15. - с. 174-176.
28. Григорьев В.В., Готра З.Ю., Смеркло Л.М. Выбор базового элемента в информационных моделях конструкций микроэлектронной аппаратуры // Вопросы специальной радиэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. - М.: НИИЭИР. - 1981. - Вып. 20. - с. 138-141.
29. Григорьев В.В., Готра З.Ю., Смеркло Л.М. Формализация требований к алгоритмическому размещению размеров на чертежах узлов и деталей РЭА // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Общетехническая. - М.: НИИЭИР. - 1983. - Вып. 14. - с. 67-71.
30. Григорьев В.В., Готра З.Ю., Смеркло Л.М. Алгоритмизация размещения размеров на чертежах узлов и деталей РЭА //Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Общие вопросы радиоэлектроники. - М.: НИИЭИР. - 1985. - Вып. 2. - с. 101-110.
31. Григорьев В.В., Готра З.Ю., Смеркло Л.М. Особенности автоматизированного нанесения размеров на сборочных чертежах интегральных модулей СВЧ // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. - М.: НИИЭИР. - 1984. - Вып. 9. - с. 136-140.
32. Григорьев В.В., Ласаев А.Ф., Смеркло Л.М. Особенности применения кодировщика графической информации при автоматизированном проектировании микросборок // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. - М.: НИИЭИР. - 1984. - Вып. 9. - с. 134-136.
33. Гольев В.Т., Григорьев В.В., Смеркло Л.М. Опыт проектирования фотошаблонов полупроводниковых микросборок с помощью ППП РАПИРА-4ИС и ПРАМ5.3/ПФШ // Специальная радиоэлектроника. - М.: НИИЭИР. - 1985. - Вып. 11-12. - с. 41-42.
34. Смеркло Л.М. Удосконалення методів комплексної автоматизації розробки конструкторської документації мікроелектронної апаратури // Вісник Державного університету "Львівська політехніка". Сер. Компютерні системи проектування. Теорія i практика. Львів: ДУ"ЛП". - 1998. - № 327. - с. 93-99.
47. Смеркло Л.М., Сенишин Я.М. Дослідження впливу конструктивно-технологічних факторів на ударну стійкість товстоплівкових резисторів: Деп. в ДНТБ України. - 1994. - № 1680. - Ук.94. - 7с.
48. Смеркло Л.М., Невзоров В.В., Кучмій Г.Л. Конструктивно-технологічні особливості потужних ДМОН транзисторів // Зб.матеріалів Міжнародної наук.-техн.конференції "Сучасні проблеми автоматизованої розробки i виробництва РЕЗ, застосування засобів звязку". - Львів. - ДУ "ЛП". - 1996. - Ч. 1. - с. 93-94
49. Смеркло Л.М. Інтегральні формувачі імпульсів для НВЧ пристроїв міліметрового діапазону хвиль // Зб. доповідей Міжнародної наук.-техн. конференції "Сучасні проблеми автоматизованої розробки i виробництва РЕЗ". - Львів. ДУ "ЛП". - 1994. - с. 29-30.
50. Смеркло Л.М., Голяка Р.Л. Математична модель потужного інтегрального діода з барєром Шотткі // Зб.тезів доповідей Міжнародної наук.-техн. конференції "Досвід розробки та застосування приладо-технологічних САПР мікроелектроніки". Львів. ДУ "ЛП". - 1995. - с. 99.
51. Smerklo L.M. Semiconductor pulse modulators for EHF-band technique // Abstract booklet. Second International School-conference "Physical problems in material science of semiconductors". Chernivtsi: State University. - 1997. - p. 339-340.
52. Смеркло Л.М. Гібридно-інтегральні імпульсні модулятори для генераторів РЕС міліметрового діапазону хвиль // Зб. матеріалів Міжнародної наук.-техн. конференції "Сучасні проблеми автоматизованої розробки i виробництва РЕЗ, застосування засобів звязку". Львів. ДУ "ЛП". - 1996. - Ч. 1 - с. 95-96.
53. Папенко Л.А., Смеркло Л.М., Сенишин Я.М., Волохин С.А. Исследование влияния газовой среды, заполняющей корпус модуля на надежность толстопленочных резисторов // Электронная техника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. Тезисы докладов Межотраслевой научн.-техн. конференции "Проектирование и изготовление МЭА, проблемы и перспективы". М.:ЦНИИ "Электроника". - 1983. - Вып.2(190). - ч. 2. - с. 43-44.
54. Gotra Z., Wygoda L., Grigoriev V., Smerklo L. Automatization of design of control program in resistor laser trimming process // Proceedings of the 20-th conference of the International Society for Hybrid Microelectronics Poland Chapter. - Wroclaw: 1997. - p. 149-152.
55. Волохин С.А., Папенко Л.А., Смеркло Л.М., Сенишин Я.М. Исследование возможностей различных методов подгонки пленочных резисторов // Электронная техника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. Тезизы докладов Межотраслевой научн.-техн. конференции "Технология изготовления МЭА".М.:ЦНИИ "Электроника". - 1981. - Вып.1(162). - с. 50.
56. Смеркло Л.М., Сенишин Я.М. Електрохімічний метод підгонки плівкових резисторів // Зб. доповідей Міжнародної наук.-техн. конференції "Сучасні проблеми автоматизованої розробки i виробництва РЕЗ". - Львів. ДУ "ЛП". - 1994. - с. 24-26.
57. Смеркло Л.М., Сенишин Я.М. Вибір конструкції ударостійких плівкових резисторів // Зб. доповідей Міжнародної наук.-техн. конференції "Сучасні проблеми автоматизованої розробки i виробництва РЕЗ". - Львів. ДУ "ЛП". - 1994. - с. 26-28.
58. Смеркло Л.М. Импульсные модуляторы для генераторов КВЧ-диапазона // Сб. реф. 6-ой Международной Крымской конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", г. Севастополь. СГТУ. - 1996. - с. 25-26.
59. Смеркло Л.М. Автоматизоване проектування конструкторської документації i фотошаблонів гібридних інтегральних модулів // Зб. тезів доповідей IV Міжнародної наук.-техн. конференції "Досвід розробки та застосування приладо-технологічних САПР мікроелектроніки". Львів. ДУ "ЛП". - 1997. - ч. 2. - с. 166-167.
60. Смеркло Л.М. Интегральные формирователи мощных наносекундных импульсов и РЭУ на их основе // Сб. тез. докладов III Международной научн.-техн. конференции "Микроэлектроника и информатика". Москва-Зеленоград. - 1997. - с. 78-79.
?aciauaii ia .ru
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
