Оценка зарядовой стабильности одноэлектронного полевого транзистора на молекуле бензола в качестве проводящего канала в режиме кулоновской блокады. Вычисление энергии заряда молекулы по теории функционала плотности, модель ее взаимодействия со средой.
При низкой оригинальности работы "Наноэлектроника "снизу-вверх": кулоновская блокада и одноэлектронный нанотранзистор на молекуле бензола", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Следуя духу концепции «снизу - вверх» по аналогии с простейшим одноуровневым резистором с одной модой проводимости при энергии є (п.п 3.1 в [18]), рассмотрим двухмодовый резистор, каждый из двух уровней которого занят одним электроном - один со спином «вверх», второй - со спином «вниз», находящихся при одной и той же энергии є (рис. Однако, если удельная (в пересчете на один электрон) энергия заряжания проводника Uo [10] достаточно велика, то спектр энергий в проводнике изменяется таким образом, что один из уровней вместе с электроном поднимается выше на величину U0 (рис. Рассмотрим, например, двухуровневый резистор, на который подано такое напряжение, что электроны, входящие в проводник из левого контакта, переводят систему из состояния 00 в состояние 01 или 10, но не 11 изза большого значения удельной энергии заряжания U (рис. М-, энергия которого определяется сродством молекулы к электрону ЕА или состояния ГР (Ionization Potential), соответствующего потере одного электрона молекулой М , энергия которого определяется потенциалом ионизации молекулы ГР (рис. Для нахождения этих условий выпишем очевидные соотношения между энергиями Ем (N) молекулы с числом электронов N в начальном незаряженном состоянии и энергиями Е (N") и Е (N’’) электронов в истоке и стоке, учитывая то обстоятельство, что при переходе одного электрона из истокового электрода на молекулу энергия системы должна по крайней мере понизиться [35]: Es (N") Еы (N) > Е^ (N’-1) Ем(N 1).Явление кулоновской блокады в одноэлектронике рассмотрено с позиций двух казалось бы разных подходов: в концепции «снизу - вверх» наноэлектроники, в которой важную роль играет неограниченный по спину подход в теории самосогласованного поля в фоковском пространстве, и в традиционной концепции «сверху - вниз» с привлечением макроскопических свойств и понятий.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
