Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
При низкой оригинальности работы "Морфологія поверхні та оптичні властивості (In,Ga)As/GaAs та InAs/AlSb наноструктур", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Київ - 2006. Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. Лашкарьова НАН України. Науковий керівник кандидат фізико-математичних наук Стрельчук Віктор Васильович, Інститут фізики напівпровідників ім.У другому розділі - Морфологічний перехід від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного (наноострівцевого) в INXGA1-XAS/GAAS наноструктурах - представлено результати комплексних оптичних і структурних досліджень морфологічного переходу від двовимірної поверхні осадженого INXGA1-XAS шару до формування тривимірних наноострівців (квантових точок) при зміні компонентного складу INXGA1-XAS шарів для 8-ми періодних INXGA1-XAS/GAAS структур (х = 0,2 ч 0,35). Висока структурна якість 2D шарів в досліджуваних структурах експериментально підтверджується наявністю сателітної структури кривих дифракційного відбивання в рентгенівських спектрах, отриманих в симетричній 400 геометрії, невеликою напівшириною LO(GAAS)-подібної фононної лінії 2D шару та високою її інтенсивністю в спектрах КРС. Для зразків з х ? 0,25 реалізується псевдоморфна 2D мода росту і в спектрах ФЛ присутня одна інтенсивна смуга ФЛ INXGA1-XAS квантової ями.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
