Основные положения процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Устройство установки, принципы действия: рабочий объем, эффузионные ячейки. Дифракция быстрых электронов. Использование раствора кадмий-ртуть-теллур для производства инфракрасных и фотоприемников.
1. Основные положения процесса молекулярно-лучевой эпитаксии 2. Устройство установки и принципы действия 2.1 Рабочий объем 2.2 Эффузионные ячейки 2.3 Картины на экране ДБЭ 2.4 Подготовка подложки 3. Из опыта известно, что в обычном высоком вакууме 10-6 Торр атомарно чистая поверхность покрывается монослоем из адсорбированных молекул за несколько секунд. Поэтому для контроля процесса нанесения на уровне монослоев необходимы: 1) сверхвысокий вакуум, то есть остаточное давление порядка 10-10 Торр; 2) особо тщательная очистка подложек от окисных пленок; 3) особо чистые исходные материалы; 4) измельчение частиц в осаждаемом пучке до размера отдельных молекул; 5) контроль за атомной структурой растущих наноструктур в реальном режиме времени. Только метод молекулярно - лучевой эпитаксии (МЛЭ) удовлетворяет всем этим требованиям. Кроме того, поскольку процесс МЛЭ происходит в сверхвысоком вакууме, его можно контролировать in situ с помощью таких диагностических методов, как дифракция отраженных быстрых электронов (ДОБЭ), электронная ожеспектрометрия (ЭОС), вторично-ионная масс-спектрометрия (ВИМС), рентгеновская фотоэлектрическая спектроскопия (ФЭС) и т. д., поместив в систему соответствующую аппаратуру вместе с квадрупольным массанализатором для контроля интенсивности пучков и ионной пушкой для очистки поверхности. Основным блоком системы МЛЭ является ростовая камера, в которой потоки атомов или молекул образуются за счет испарения жидких или сублимации твердых материалов из эффузионных ячеек (эффузия - медленное истечение газов через малые отверстия). Эффузионная ячейка представляет собой цилиндрический либо конический тигель диаметром 1-2 см и длиной 5-10 см. В этой зоне происходит эпитаксиальный рост в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии[9]. Для получения гетероструктуры GaAs из твердых источников испаряют Ga и As.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
